名古屋大学

共同利用・共同研究

主な設備一覧

  • 【成膜装置】
    写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
    8元マグネトロンスパッタ装置 8元マグネトロンスパッタ装置 2インチカソード8本
    試料サイズ30 mm角
    RF電源 500 W 2台
    基板加熱:600℃
    1 kV Arイオンエッチング機構
    試料交換室に8サンプルバンク可
    微細加工ナノプラットフォーム
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    8元MBE装置 8元MBE装置 蒸着源:4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個
    試料サイズ30 mm角
    高圧電源3台
    基板加熱:1000℃
    1kV Arイオンエッチング機構
    25 kV RHEED表面観察機能
    微細加工ナノプラットフォーム
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    3元マグネトロンスパッタ装置 3元マグネトロンスパッタ装置 島津製作所HSR-522
    4インチカソード3本,RF電源500 W 2台
    逆スパッタ機構,基盤回転,シャッター開閉機構による多層膜成長可能
    微細加工ナノプラットフォーム
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
  • 【微細加工・プロセス装置】
    写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
    電子線露光装置 電子線露光装置 日本電子社製 JBX6300FS
    加速電圧:25/50/100kV
    最小ビーム径:2nm
    ビーム電流:100pA-2nA
    重ね合わせ精度:±9nm
    最大試料サイズ:8inchφ
    微細加工ナノプラットフォーム
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    マスクアライナ マスクアライナ キャノン社製PLA-501(S)
    厚さ0.7μm以下の不定形試料に対応
    微細加工ナノプラットフォーム
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    反応性イオンエッチング装置 反応性イオンエッチング装置 サムコ社製 RIE-1C
    エッチングガス:CF4、O2
    高周波電力:150W
    微細加工ナノプラットフォーム
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    ECR-SIMSエッチング装置 ECR-SIMSエッチング装置 ECRイオンガン:入江工研社製 RGB-114 マイクロ波入力150 W,加速電圧600 V,イオン照射径30mm
    SIMS検出器:PFEIFFER社製 EDP400
    分析質量1-512 amu
    試料角度調整,回転機構付き
    微細加工ナノプラットフォーム
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    イオン注入装置 イオン注入装置 日新電機社製 NH-20SR-WMH
    加速電圧:5-200kV
    注入電流1 µA~100 µA
    微細加工ナノプラットフォーム
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    フェムト秒レーザー加工分析システム フェムト秒レーザー加工分析システム 輝創 UFL-Hybrid
    光源:1041 nm, 550 fs, 10 µJ (IMRA µjewel D-1000)
    高調波発生ユニット:40% @520 nm, 5% @347 nm
    (加工ステーション)
    最大試料寸法:100 mm x 100 mm
    加工スポット:3.5 µmφ
    (分析ステーション)
    時間分解蛍光・磁気分析
    (光干渉断層撮影ステーション)
    撮影エリア:10 mm x 10 mm x 1.6 mm
    深さ分解能:7 µ
    微細加工ナノプラットフォーム
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    電気炉 電気炉 光洋リンドバーグ社製 MODEL272-2
    温度範囲:400-1100℃
    微細加工ナノプラットフォーム
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    急速加熱処理装置 急速加熱処理装置 AG Associates社製 Heatpulse 610
    温度範囲:400~1200℃
    昇温速度:200℃/sec
    微細加工ナノプラットフォーム
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  • 【電子顕微鏡及び関連装置】
    写真 設備(設備群)名 仕様 設置場所
    反応科学超高圧走査透過電子顕微鏡 反応科学超高圧
    走査透過電子顕微鏡
    JEM 1000K RS
    TEM点分解能:0.15nm以下
    STEM機能プローブ径:1nm
    加速電圧: 1000kV, 800kV, 600kV, 400kV
    0.1気圧までの各種ガス環境下でのその場観察
    EELSによる元素分析機能
    3D観察
    微細構造解析ナノプラットフォーム
    nanoplat@nagoya-microscopy.jp
    高分解能電子状態計測走査透過型電子顕微鏡 高分解能電子状態計測走査透過型電子顕微鏡
    JEM-ARM200(Cold)
    (収差補正電子顕微鏡)
    TEM点分解能:0.19nm
    STEM機能プローブ径:有<60pm
    照射レンズ系に収差補正機能を搭載
    加速電圧: 200,80kV0
    冷電界放出電子銃
    TEM, STEM, EDS, EELS
    電子線ホログラフィー
    微細構造解析ナノプラットフォーム
    nanoplat@nagoya-microscopy.jp
    電界放出走査透過電子顕微鏡 電界放出走査透過電子顕微鏡
    JEM-10000BU
    (収差補正電子顕微鏡)
    TEM点分解能:0.11nm
    STEM機能プローブ径:有<70pm
    照射レンズ系、結像レンズ系のそれぞれに収差補正機能を搭載 
    加速電圧: 200,80kV
    電界放出電子銃
    TEM, STEM, EDS, EELS
    電子線ホログラフィー
    微細構造解析ナノプラットフォーム
    nanoplat@nagoya-microscopy.jp
    汎用電子顕微鏡 汎用電子顕微鏡 JEM-2100F-HK 超高圧電子顕微鏡施設
    汎用電子顕微鏡 汎用電子顕微鏡 H-800 200kV 超高圧電子顕微鏡施設
    電子分光走査透過電子顕微鏡 電子分光走査透過電子顕微鏡
    JEM2100M
    TEM点分解能:0.23nm
    STEM機能有
    プローブ径:1.0nm
    加速電圧:200kV
    EELS, 波長分散X線分光器
    カソードルミネッセンス(CL)
    100K-1000Kの温度範囲で計測可
    微細構造解析ナノプラットフォーム
    nanoplat@nagoya-microscopy.jp
    高速加工観察分析装置 高速加工観察分析装置
    MI-4000L
    (FIB-SEM)
    加速電圧:30kV (FIB, SEM)
    マイクロサンプリング機能
    FE-SEM、EDS およびEDSD機能
    微細構造解析ナノプラットフォーム
    nanoplat@nagoya-microscopy.jp
    集束イオンビーム加工機FB-2100(FIB) 集束イオンビーム加工機FB-2100(FIB) 加速電圧: 40kV
    マイクロサンプリング
    CAD機能
    微細構造解析ナノプラットフォーム
    nanoplat@nagoya-microscopy.jp
    アルゴンイオン研磨装置 アルゴンイオン研磨装置
    PIPSⅡ
    イオン銃:低エネルギー集束電極ペニングイオン銃 2式
    イオンエネルギー:100eV~8keV
    試料サイズ:3mm
    試料回転:1~6rpmまで可変
    XY切り替え範囲:±0.5mm
    試料観察:双眼顕微鏡、デジタルズームマイクロスコープ
    冷却ステージ:液体窒素(保持時間6~7時間)
    試料冷却:-120℃まで冷却可能
    微細構造解析ナノプラットフォーム
    nanoplat@nagoya-microscopy.jp
    その他 試料作製装置群 その他 試料作製装置群 切断、機械研磨、化学研磨、FIB用サンプル加工等、無機材料系試料作製のための各種装置群 微細構造解析ナノプラットフォーム
    nanoplat@nagoya-microscopy.jp
    三次元電子顕微鏡 三次元電子顕微鏡 FEI Tecnai G2 300kV 齋藤晃研究室
    電界放射型分析走査電子顕微鏡 電界放射型分析走査電子顕微鏡 日本電子JSM-6330F & JED-2140GS 共通機器室
    shared.equip@imass.nagoya-u.ac.jp
    走査型電子顕微鏡 走査型電子顕微鏡 日本電子社製 JSM-6301F
    線源:冷陰極電界放射型電子銃
    加速電圧:0.5~30kV
    倍率:10~500,000
    エネルギー分散型分光器による組成分析可能
    微細構造解析ナノプラットフォーム
    nanoplat@nagoya-microscopy.jp
    エネルギー分散型X線分析装置付走査型電子顕微鏡 エネルギー分散型X線分析装置付走査型電子顕微鏡 日立ハイテクノロジーズ社製
    SEMEDXⅢTypeN1
    SEI像分解能:3.0nm@ 25kV
    COMPO像分解能:4.0nm
    加速電圧:0.3~30kV
    共通機器室
    shared.equip@imass.nagoya-u.ac.jp
  • 【分析・計測装置】
    写真 設備(設備群)名 仕様 設置場所
    薄膜X線回折装置 薄膜X線回折装置 RIGAKU社製 ATX-G
    Cu Kα線 18kW 多層膜ミラー,Geモノクロメーター付き
    測定モード:θ-2θスキャン,ロッキングカーブ,逆格子面マッピング,膜面内φスキャン,φ-2θχスキャン
    など
    微細加工ナノプラットフォーム
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    X線回折装置 X線回折装置 RIGAKU RINT2500TTR 共通機器室
    shared.equip@imass.nagoya-u.ac.jp
    原子間力顕微鏡 原子間力顕微鏡 Bruker社製 AXS Dimension3100
    スキャン領域:XY方向 約90μm,Z方向 約6μm
    試料サイズ:最大150 mmφ-12mmt
    測定モード AFM,MFM,EFM,LFM,表面電位顕微鏡,電流像,リソグラフィー
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    磁気特性評価システム群 磁気特性評価システム群 交番磁界勾配型磁力計:感度10^-8emu,20kOe
    振動試料型磁力計:感度10^-5emu,15kOe
    トルク磁力計:2×10^-3erg,15kOe
    磁気光学スペクトロメータ:2×10^-3deg,16kOe
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    X線光電子分光装置 X線光電子分光装置 VG社製 ESCALAB210
    線源:Mg/AlツインアノードおよびAlモノクロX線源
    Arスパッタ銃による試料エッチング可能
    角度分解測定用マニュピレータ
    info@nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
    X線光電子分光装置 X線光電子分光装置 島津製作所ESCA-3300型 共通機器室
    shared.equip@imass.nagoya-u.ac.jp
    高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置 誘導結合プラズマ発光分光分析装置 セイコーインスツルメンツ製
    SPS7800
    共通機器室
    shared.equip@imass.nagoya-u.ac.jp
    CHNコーダー CHNコーダー ヤナコ分析工業 共通機器室
    shared.equip@imass.nagoya-u.ac.jp
    電動式小型遠心圧縮機試験装置 電動式小型遠心圧縮機試験装置 Tx40MS 共通機器室
    shared.equip@imass.nagoya-u.ac.jp
    ナノ構造解析用液体クロマトグラフ質量分析計 ナノ構造解析用液体クロマトグラフ質量分析計 Micromass LCT 共通機器室
    shared.equip@imass.nagoya-u.ac.jp
    1成分レーザドップラー流速計測装置 1成分レーザドップラー流速計測装置 1D-PDPA/FSA3500P 共通機器室
    shared.equip@imass.nagoya-u.ac.jp

(注)募集研究テーマを実施するに当たっては、本研究所の設備(主な設備名は上記のとおり)を利用することができます。
なお、利用を希望する場合は、本研究所の担当教員と十分な打合せをしてください。