教員詳細

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未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター

只友 一行 (タダトモ カズユキ), 客員教授, 1956年生

TADATOMO, Kazuyuki

(山口大学 大学院創成科学研究科 教授)

E-Mailアドレス

tadatomo*@*yamaguchi-u.ac.jp(メール送信の際は@前後の*を削除してください)

学歴

1980年3月 大阪大学基礎工学研究科 化学工学系専攻終了

職歴

取得学位

研究分野を表すキーワード

結晶成長, GaN, MOVPE, HVPE, 発光ダイオード, 電子デバイス

専門分野

科学研究費補助金

競争的資金等(科研費以外)

著書等

  1. III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications, Springer, Tae-Yeon Seong et.al, 2013. (Chapter 4 ”Epitaxy Part B. Epitaxial Growth of GaN on Patterned Sapphire Substrate”を担当)
  2. ワイドギャップ半導体光・電子デバイス, 森北出版株式会社, 2006年,高橋清監修 (3.5.1, 3.5.2, 5.2.4の分担執筆)

学術論文等

  1. “Alternately double-sided growth of low-curvature GaN templates on sapphire substrates using hydride vapor phase epitaxy”, N. Okada, H. Ihara, K. Yamane, and K. Tadatomo, Physica Status Solidi B 253, No.5, pp.819-823 (2016).
  2. “High Output Power InGaN Ultraviolet Light Emitting Diodes Fabricated on Patterned Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”, Kazuyuki Tadatomo, Hiroaki Okagawa, , et al. Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 40, pp. L583-L585 (2001).

他82編

研究発表等

  1. “Semipolar GaN substrate grown on patterned sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy”, K. Tadatomo et al. DPG Spring Meeting (Deutschen Physikalischen Gesellschaft), HL72: Focus Session: Extended defects in semi- and nonpolar GaN 1, HL72.6, Regensburug University, Regensburg, Germany, March 10-15, 2013.

他330件

知的財産等

  1. 特許, “半導体基板の製造方法”, (発明者)岡田成仁, 只友一行, (出願番号)特願2015- 149146号, (出願日)2015年 7月29日, (出願人) 国立大学法人山口大学, 日本国

他多数(山口大学からの出願が43件)

担当授業科目

半導体工学Ⅱ, 半導体物性特論, 科学技術と社会, 基礎セミナー(2016年度)

所属学会等

委員会活動

学内活動

教員からの一言

科学技術の進展に貢献できれば幸いです。