教員詳細

写真

未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター

藤元 直樹(フジモト ナオキ), 研究員, 1982年生

FUJIMOTO, Naoki

E-Mailアドレス

naoki.fujimoto*@*imass.nagoya-u.ac.jp(メール送信の際は@前後の*を削除してください)

学歴

職歴

研究分野を表すキーワード

HVPE、GaN

学術論文等

  1. “Growth of high-quality AlN at high growth rate by hightemperature MOVPE” : N. Fujimoto, T. Kitano, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh, phys. stat. sol. (c) 3, No. 6, 1617–1619 (2006)
  2. “Epitaxial lateral overgrowth of AlN layers on patterned sapphire substrates” : K. Nakano, M. Imura, G. Narita, Y. Hirose, N. Fujimoto, N. Okada, T. Kawashima, K. Iida, K. Balakrishnan, M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, phys. stat. sol. (a) 203, No. 7, 1632–1635 (2006)
  3. “Critical aspects of high temperature MOCVD growth of AlN epilayers on 6H-SiC substrates” : K. Balakrishnan, N. Fujimoto, T. Kitano, A. Bandoh, M. Imura, K. Nakano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro, K. Shimono, T. Riemann, and J. Christen, phys. stat. sol. (c) 3, No. 6, 1392–1395 (2006)
  4. “Microstructure of thick AlN grown on sapphire by high-temperature MOVPE” : M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi, and A. Bandoh, phys. stat. sol. (a) 203, No. 7, 1626–1631 (2006)
  5. “Microstructure of epitaxial lateral over grown AlN on trench-patterned AlN template by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy” : M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi, and A. Bandoh, APPLIED PHYSICS LETTERS 89. 221901 (2006)