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教員詳細

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未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター

中村 徹(ナカムラ トオル), 客員教授, 1945年生

NAKAMURA, Tohru

E-Mailアドレス

nakamura.toru*@*b.mbox.nagoya-u.ac.jp(メール送信の際は@前後の*を削除してください)

tohru*@*hosei.ac.jp(メール送信の際は@前後の*を削除してください)

学歴

職歴

1975年4月~1998年3月 日立製作所中央研究所
1992年9月~1993年12月 Dept. of ECE, University of California, San Diego 客員教授
1998年4月~2016年3月 法政大学工学部(現理工学部)教授(電気電子工学科)
2016年4月~ 法政大学マイクロナノテクノロジーセンター 客員教授
2016年7月~ 名古屋大学未来材料・システム研究所 客員教授

取得学位

研究分野を表すキーワード

GaN イオン注入 半導体デバイス

専門分野

著書等

  1. 平成16年度 半導体製造装置のライフサイクルアセスメントに関する調査・研究等報告書 第3章「LCAの観点での、半導体製造装置の消費エネルギー調査研究」, 佐藤 政孝, 中村 徹, 小林 義武, 大沢 昭浩, 高橋 幹夫, 大谷 光幸, 鈴木 宏和, (社)日本半導体装置協会, 2005年3月
  2. 電子情報レクチャーシリーズD-18「超高速エレクトロニクス」電子情報通信学会編, 中村 徹, 三島 友義, コロナ社, 2003年11月
  3. 超LSI技術 16デバイスとプロセス「第3章超高速バイポーラデバイスの現状と将来」, 中村 徹, 半導体研究36巻(西沢潤一編)工業調査会, 1992年
  4. Ultra-Fast Silicon Bipolar Devices Advanced Self-Align Technologies and Resulting Structure of High Speed Bipolar Transistors, 中村 徹, Springer-Verlag Springer Series in Electronics27, 1988年
  5. 超LSI技術11 デバイスとプロセス第1章高速バイホーラデバイス技術, 中村 徹, 半導体研究26巻(西沢潤一編)工業調査会, 1987年
  6. Japan Annual Review in Electronics,Computer,&Telecommunication vol. SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES 第9章SICOS-High-Speed Self-Aigned Bipolar Transister, 中村 徹, オーム社North-Holland Publishing Company, 1984年
  7. 超高速デバイスおよびミリ波デバイスとその回路技術, 中村 徹, 電気学会論文誌C, vol.124-C, p.235-236 , 2004年,  (解説)

学術論文等

  1. Mg 斜めイオン注入GaN MISFET, 葛西 駿, 及川 拓弥, 木村 純, 小川 弘貴, 三島 友義, 中村 徹, 電気学会論文誌C, IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems, Vol.136 No.4 pp.444-448 DOI: 10.1541/ieejeiss.136.444, 2016年
  2. 高誘電率絶縁膜を用いたフィールドプレート電極を有する縦型GaNダイオード, 吉野理貴, 堀切文正, 太田博, 山本康博, 三島友義, 中村徹, 電気学会論文誌C, IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems, Vol.136, No.4 pp.474–478 DOI: 10.1541/ieejeiss.136.474 , 2016年
  3. 1.7 kV and 0.55 mΩ·cm2 GaN p-n Diodes on Bulk GaN Substrates with Avalanche Capability , K. Nomoto, B. Song, Z. Hu, M. Zhu, M. Qi, N. Kaneda, T. Mishima, T. Nakamura, D. Jena, H. Xing , IEEE Electron Device Letters , DOI .1109/LED.2015.2506638 , 2015年
  4. Vertical GaN p-n Junction Diodes With High Breakdown Voltages Over 4 kV , Hiroshi Ohta, Naoki Kaneda, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima and Tohru Nakamura , IEEE Electron Device Letters , Vol. 36, NO. 11, pp. 1180-1182 , 2015年
  5. Formation of definite GaN p-n junction by Mg-ion implantation to n—GaN epitaxial layers grown on a high-quality free-standing GaN substrate , Takuya Oikawa, Yusuke Saijyo, Shigeki Kato, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura , Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B: Beam Interactions with Materials and Atoms , Vol. 365, Part A, pp.168-170 , 2015年
  6. A proposal to apply effective acceptor level for representing increased ionization ratio of Mg acceptors in extrinsically photon-recycled GaN , Kazuhiro Mochizuki, Tomoyoshi Mishima, Yuya Ishida, Yoshitomo Hatakeyama, Kazuki Nomoto, Naoki Kaneda, Tadayoshi Tsuchiya, Akihisa Terano, Tomonobu Tsuchiya, Hiroyuki Uchiyama, Shigehisa Tanaka and Tohru Nakamura , Materials Science Forum , Vols. 778-780 pp 1189-1192 , 2014年
  7. Nitrogen ion implantation isolation technology for normally-off GaN MISFETs on p-GaN substrate , Hayao Kasai, Hiroki Ogawa, Tomoaki Nishimura, Tohru Nakamura , Phys. Status Solidi (C) , 1–4 / DOI 10.1002/pssc.201300436 , 2014年
  8. Normally-off GaN MOSFETs with high-k dielectric CeO2 films deposited by RF sputtering , Hiroki Ogawa, Takuya Okazaki, Hayao Kasai, Kenta Hara, Yuki Notani, Yasuhiro Yamamoto and Tohru Nakamura , Phys. Status Solidi (C) , 1–5 / DOI 10.1002/pssc.201300314. , 2014年
  9. High performance normally-off self-aligned metal gate GaN MISFETs on free-standing GaN substrates , Hiroki Ogawa, Hayao Kasai, Naoki Kaneda, Tomonobu Tsuchiya, Tomoyoshi Mishima and Tohru Nakamura , Phys. Status Solidi (C), 1–6 / DOI 10.1002/pssc.201300440. , 2014年
  10. A 1/f Temperature Fluctuation Mechanism and Some Applications to Electronic Devices, Hisayuki Higuchi, Noriyuki Homma and Tohru Nakamura , Jap. J. Applied Physics, Jpn. J. Appl. Phys. , Vol. 52, pp. 104301-1-104301-8, DOI:10.7567/JJAP.52.104301. , 2013年
  11. Determination of Lateral Extension of Extrinsic Photon Recycling in p-GaN by Using Transmission-Line-Model Patterns Formed with GaN p-n Junction Epitaxial Layers , Kazuhiro Mochizuki, Tomoyoshi Mishima, Yuya Ishida, Yoshitomo Hatakeyama, Kazuki Nomoto, Naoki Kaneda, Tadayoshi Tshuchiya, Akihisa Terano, Tomonobu Tsuchiya, Hiroyuki Uchiyama, Shigehisa Tanaka, Tohru Nakamura , Jpn. J. Appl. Phys , Vol. 52, No. 8, DOI:10.7567/JJAP.52.08JN22. , 2013年
  12. High transconductance ion-implanted GaN MISFETs using atomic layer deposited high-k dielectrics , S. Gu, H. Katayose, K. Nomoto, T. Nakamura, A. Ohoka, K. Lee, W. Lu, P. M. Asbeck , Physics Status Solidi C , Vol. 10, No. 5, pp. 820-823, DOI: 10.1002/pssc.201200625 , 2013年2月
  13. High-Breakdown-Voltage and Low-Specific-on-Resistance GaN p–n Junction Diodes on Free-Standing GaN Substrates Fabricated Through Low-Damage Field-Plate Process , Yoshitomo Hatakeyama, Kazuki Nomoto, Akihisa Terano, Naoki Kaneda, Tadayoshi Tsuchiya, Tomoyoshi Mishima and Tohru Nakamura , Japanese Journal of Applied Physics , Vol. 52, 28007, pp. 1-3 , 2013年
  14. Influence of Surface Recombination on Forward Current Voltage Characteristics of Mesa GaN p+n Diodes Formed on GaN Free-Standing Substrates , K. Mochizuki, K. Nomoto, Y. Hatakeyama, H. Katayose, T. Mishima, N. Kaneda, T. Tsuchiya, A. Terano, T. Ishigaki, T. Tsuchiya, R. Tsuchiya, and T. Nakamura , IEEE Trans. Electron Devices , Vol. 59, No.4, pp.1091-1097 , 2012年
  15. Effects of Surface Micromesas on Reverse Leakage Current in InGaN/GaN Schottky Barriers , W. Lu, T. Nishimura, L Wang, T. Nakamura, P.Yu and P. Asbeck , J. Applied Physics , 112, 44505(1-9) , 2012年
  16. Over 1.0 kV GaN p-n Junction Diodes on Free-Standing Substrates , Kazuki Nomoto, Yoshitomo Hatakeyama, Hideo Katayos, Tohru Nakamura, Naoki Kaneda and Tomoyoshi Mishima , Physica Status Solidi(A) , Vol. 208 , 2012年
  17. High Threshold Voltage Normally-Off GaN MISFETs Using Self-Alignment Technique , Shinya Taguchi, Kazuya Hasegawa, Kazuki Nomoto and Tohru Nakamura , Physica Status Solidi(C) , Vol. 9, Issue 3-4, PP.858-860 , 2012年
  18. Over 3.0 GW/cm2 Figure-of-Merit GaN p-n Junction Diodes on Free-Standing GaN Substrates , Yoshitomo Hatakeyama, Kazuki Nomoto, Naoki Kaneda, Toshihiro Kawano, Tomoyoshi Mishima, Senior Member, IEEE, and Tohru Nakamura , IEEE Electron Devices Letters , Vol.32, No.12, pp.1674-1676 , 2011年
  19. 55nm Gate Ion-Implanted GaN HEMTs on Sapphire and Si Substrates , Hideo Katayose, Masanao Ohta, Kazuki Nomoto, Norio Onojima, Tohru Nakamura , Physica Status Solidi(C), pp. 1- 3 /DOI 10.1002/pssc.201001018 , 2011年
  20. Self-Aligned Silicide Gate GaN MISFET with Normally-Off operation , Shinya Taguchi, Kazuya Hasegawa, Kazuki Nomoto and Tohru Nakamura , Physica Status Solidi(C) , pp. 1– 3 /DOI10.1002/pssc.201001018 , 2011年
  21. Over 1.0 kV GaN p-n Junction Diodes on Free-Standing Substrates , Kazuki Nomoto, Yoshitomo Hatakeyama, Hideo Katayos, Tohru Nakamura, Naoki Kaneda and Tomoyoshi Mishima , Physica Status Solidi(A) , Vol. 208, Issue 7/2011, page 1535-1537 , 2011年
  22. Characterization of silicon ion-implanted GaN and AlGaN , Kazuki Nomoto, Yuki Toyoda, Masataka Satoh, Taroh Inada, Tohru Nakamura , Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B , 2011年
  23. High-temperature operation of GaN based OPAMP on silicon substrate , Kazuki Nomoto, Kazuya Hasegawa, and Tohru Nakamura , High-temperature operation of GaN based OPAMP on silicon substrate , Physica Status Solidi C 7-8, 1952-1954 , 2010年
  24. Impact of C Ion Irradiation on Chemical and Electrical Properties of Pentacene Organic Film , Tomohisa Yabe, Yuuki Sakamoto, Tomoaki Nishimura, and Masataka Satoh , Ion Beam Modification of Materials , 535 , 2010年
  25. Improvement of Current Gain in Triple Ion Implanted 4H-SiC Bipolar Junction Transistor with Etched Extrinsic Base Regions, イオン注入4H-SiC バイポーラトランジスタの高電流利得化 , T. Tajima, T. Nakamura, M. Satoh and T. Nakamura , 電気学会論文誌C IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems, Vol. 130, No. 12, PP. 2188-2191,2010 , 2010年
  26. 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化 , 野本 一貴, 佐藤 正孝, 中村 徹 , 電気学会論文誌C, IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems, Vol. 128-C, No.6, pp. 885-889 , 2008年
  27. Low-Frequency Noise Characteristics in Ion-Implanted GaN-Based HEMTs , M. Nakajima, T. Ohsawa, K. Nomoto, and T. Nakamura , IEEE Electron Devices Letters , Vol. 29, No. 8, pp.827-829 , 2008年
  28. Remarkable Reduction of On-Resistance by Ion Implantation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs With Low Gate Leakage Current , K. Nomoto, T. Tajima, T. Mishima, M. Satoh, and T. Nakamura , IEEE Electron Devices Letters , Vol. 28, No. 11, pp. 939-941 , 2007年
  29. Si+ Implanted AlGaN/GaN HEMTs with Reduced On-Resistance , K. Nomoto, T. Mishima, M. Satoh, and T. Nakamura , Phys. Stat. Sol. (c) 4 , pp. 2704-2707 , 2007年
  30. Impact of Si+ Implantation on Reduction of Contact Resistance in Ti/Al contact to GaN , M. Satoh, N. Itoh, K. Nomoto, T. Nakamura, and T. Mishima , Phys. Stat. Sol. (c) 4 , pp. 2621-2624 , 2007年
  31. 超高速デバイスおよびミリ波デバイスとその回路技術 , 中村 徹 , 電気学会論文誌C, IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems, Vol.124-C, 235-236 , 2004年
  32. 1/f noise characteristics of sub-0.1micron CMOS for high-speed analog ULSI , T. Nakamura, M. Hase, K. Ohnishi, R. Tuchiya and T. Onai , Physics of Semiconductor Devices II, 2004 Narosa Publishing House , pp. 774-778 , 2003年
  33. High-Speed Small-Scale InGaP/GaAs HBT Technology and Its Application to Integrated Circuits , T. Oka, K. Hirata, H. Suzuki, K. Ouchi, H. Uchiyama, T. Taniguchi, K. Mochzuki, and T. Nakamura , IEEE Transaction on Electron Devices , Vol. ED-48, No. 11, pp. 2625-22630 , 2001年
  34. Bipolar Transistor Technology: Past and Future Directions , P. M. Asbeck and T. Nakamura , IEEE Transaction on Electron Devices , Vol. ED-48, No. 11, pp. 2455-2456 , 2001年
  35. Small-Scale InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors for High-Speed and Low Power Integrated Circuit Application, T. Oka, K. Hirata, H. Suzuki, K. Ouchi, H. Uchiyama, T. Taniguchi, K. Mochizuki and T. Nakamura, International J. High Speed Electronics & Systems, Vol. 11, No.1, 2001年
  36. Linearity Study on Enhance/Depletion Dual-Gate High Electron Mobility Transistors Using Gain Mapping Method, T. Tanimoto, A. Kawai, I. Ohbu, H. Takazawa and T.,Nakamura, Jpn. J. Jppl. Phys.Vol. 38, Part1, No. 7A, pp. 3972-3975, 1999年
  37. Small-Scaled InGaP/GaAs HBTs with WSi/Ti Base Electrode and Buried SiO2, T.Oka, K. Hirata, K. Ouchi, H. Uchiyama, T. Taniguchi, and T. Nakamura, IEEE Transaction on Electron Devices vol. ED-45, No. 11, pp. 2276-2282, 1998年
  38. InGaP/GaAs HBTs with High-Speed and Low-Current Operation Fabricated Using Submicron Self-Aligned HBT’s by Selective Emitter Growth, S. H. Park, T. P. Chin, Q. Z. Liu, S. L. Fu, T. Nakamura, P. K. L. Yu and P. M. Asbeck, IEEE Electron Device Letters vol. 19, No. 4, pp.118-120, 1998年
  39. Experimentally Proven Equation for the Collector-Depletion-Layer Transit Time of npn Bipolar Transistors, K. Mochizuki, T. Uchino and T. Nakamura, Jpn. J. Jppl. Phys.Vol. 36, Part1, No. 11, pp.6724-6725, 1998年
  40. High-Speed InGaP/GaAs Transistors with a Sidewall Base Contact Structure, K. Mochizuki, T. Tanoue, T. Oka, K. Ouchi, K. Hirata and T. Nakamura, IEEE Electron Device Letters vol. 18, No. 11, pp. 562-564, 1997年
  41. Molecular Beam Deposition of n-type Polycrystaline InGaAs for High Resistances in Heterojunction Bipolar Transistor Integrated Circuits, K. Mochizuki, T. Oka and T. Nakamura, Electronics Letters vol. 33, No. 13, p. 1181, 1997年
  42. High Speed InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Buried SiO2 Using WSi as the Base Electrode, T. Oka, K. Ouchi, H. Uchiyama, T. Taniguchi, K. Mochizuki and T. Nakamura, IEEE Electron Device Letters vol. 18, No. 4, pp. 154-156, 1997年
  43. A WSi Base Electrode and a Heavily-Doped Thin Base Layer for High-Speed and Low-Power InGaP/GaAs HBTs, Oka, K. Ouchi, K. Mochizuki and T. Nakamura, Japanese J. Applied Physics vol. 36, No. 3B, pp. 1804-1806, 1997年
  44. Small InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with High-Speed Operation, (T. Oka, K. Ouchi and T. Nakamura, Electronics Letters vol. 33, No. 4, pp. 339-340, 1997年
  45. A Very Small Bipolar Transistor Technology with Sidewall Polycide Base Electrode for ECL-CMOS LSI, T. Shiba, Y. Tamaki, T. Onai, Y. Kiyota, T. Kure and T. Nakamura, IEEE Transaction on Electron Devices vol. ED-43, No. 9, pp. 1357-1363, 1996年
  46. Double-layer μC-Si/a-SiCx Emitter in a Silicon Heterojunction Bipolar Transistor with a Cutoff-Frequency of 47 GHz, M. Kondo, T. Shiba, Y. Tamaki, and T. Nakamura, Journal of Electrochemical Society vol. 143, No. 6, pp. 1949-1955, 1996年
  47. Shallow p-Type Layers in Si by Rapid Vapor-Phase Doping for High-Speed Bipolar and MOS Applications, Y. Kiyota, T. Nakamura, S. Suzuki and T. Inada, IEICE Transaction on Electronics vol. E79-C, No.4, pp. 554-559, 1996年
  48. AlGaAs/GaAs HBTs with buried SiO2 in the Extrinsic Collector, K. Mochizuki, T. Nakamura, T. Tanoue and H. Masuda, Solid-State Electronics vol. 38, No. 9, pp. 1619-1622, 1995年
  49. Process and Device Technology for High-Speed Self-Aligned Bipolar Transistor(Invited Paper), T. Nakamura, T. Shiba, T. Onai, T. Uchino, Y. Kiyota, K. Washio and N. Homma, IEICE Transaction on Electronics vol. E78-C, No.9, pp. 1154-1164, 1995年
  50. Behavior of Active and Inactive Boron in Si Produced by Vapor-Phase Doping during Subsequent hydrogen Annealing,, Y. Kiyota, T. Nakamura, K. Muraki, H. Niwamura and T. Inada, Japanese journal of Applied Physics vol. 34, No. 6, pp. 2981-2985, 1995年
  51. High-Speed High-Density Self-Aligned PNP Technology for Low-Power Complementary Bipolar ULSI’s, K. Washio, H. Shimamoto and T. Nakamura, IEICE Transaction on Electronics vol. E78-C, No.4, pp. 353-359, 1995年
  52. Recent Progress in Bipolar Transistor Technology(Invited Paper), T. Nakamura, H. Nishizawa, IEEE Transaction on Electron Devicesvol. ED-42, No. 3, pp. 390-398, 1995年
  53. Self-Aligned Complementary Bipolar Technology for Low-Power Dissipation and Ultra-High-Speed LSIs, T. Onai, E. Ohue, Y. Idei, M. Tanabe, H. Shimamoto, K. Washio and T. Nakamura, IEEE Transaction on Electron Devices vol. ED-42, No. 3, pp. 413-418, 1995年
  54. Selective-Area Epitaxy of Carbon-Doped AlGaAs by Chemical Beam Epitaxy, T. Y. Li, H. K. Dong, Y. M. Hsin, P. M. Asbeck, C. W. Tu and T. Nakamura, Journal of Vacuum Science Technology B, vol. 13, No. 2, pp. 664-666, 1995年
  55. Fully Radiative Current Path Structure (FRACS) for Sub-0.1 μm Emitter Transistor, T. Onai, K. Nakazato, Y. Kiyota, and T. Nakamura, IEEE Transaction on Electron Devices vol. ED-42, No. 1, pp. 23-30, 1995年
  56. Boron -Doping in Si Using Atmospheric Pressure CVD, Y. Kiyota, T. Nakamura and T. Inada, Applied Surface Science 82/83, pp. 400-404, 1994年
  57. Phosphorus Direct Doping from Vapor Phase into Silicon for Shallow Junctions, Y. Kiyota, T. Nakamura, K. Muraki and T. Inada, Journal of Electrochemical Society vol. 141, No. 8, pp. 2241-2244, 1994年
  58. Comparison of Be and C Diffusion in Heavily Doped Polycrystalline GaAs, K. Mochizuki and T. Nakamura, Applied Physics Letters vol. 65, No.16, pp. 2066-2068, 1994年
  59. Molecular Beam Deposition of Low Resistance Polycrystalline GaAs, K. Mochizuki, T. Nakamura, T. Mishima, H. Masuda and T. Tanoue, Journal of Electronic Materials vol. 23, No. 6, pp. 577-580, 1994年
  60. A New Test Structure for the Evaluation of Graft-Base Lateral Diffusion Depth in High Performance Bipolar Transistors, Y. Tamaki, T. Shiba, T. Kure and T. Nakamura, IEEE Transaction on Semiconductor Manufacturing vol. 7, No. 3, pp. 279-283, 1994年
  61. Sub-quarter Micrometer PMOSFETs with 50 nm Source and Drain Formed by Rapid Vapor, Y. Kiyota, T. Nakamura and T. Inada, IEICE Transaction on Electronics vol. E77-C, No.3, pp. 362-366, 1994年
  62. A 64 GHz fT and 3.6 VBVCEO Si Bipolar Transistor Using inSitu Phosphorus-Doped and Large-Grained Polysilicon Emitter Contacts, M. Nanba, T. Uchino, M. Kondo, T. Nakamura, T. Kobayashi, Tamaki and M. Tanabe, IEEE Transaction on Electron Devices vol. ED-40, No. 8, pp. 1563-1565, 1993年
  63. Characteristics of Shallow Boron-Doped Layers in Si by Rapid Vapor-Phase Direct Doping, Y. Kiyota, T. Nakamura, T. Inada, A. Kuranouchi and Y. Hirano, Journal of Electrochemical Society vol. 140, No. 4, pp. 1117-1121, 1993年
  64. SEPIA: A New Isolation Structure for Soft-Error-Immune LSI’s, T. Onai, T. Nakamura and N. Homma, IEEE Transaction on ElectronDevicesVol.ED-40, No.2, pp. 402-406, 1993年
  65. Soft-Error-Immune 180μm2 SICOS Upward Transistor Memory Cell for Ultra-High-Speed High-Density Bipolar RAM, Y. Idei, T.Shiba, T. Nakamura, T. Onai, Y. Tamaki, N. Homma, K. Yamaguchi and Y. Sakura, IEICE Transaction on Electronics vol. E75-C, No.11, pp. 1369-1376, 1992年
  66. Ultra-Thin-Base Si Bipolar Transistor Using Rapid Vapor-Phase Direct Doping, Y. Kiyota, T. Onai, T. Nakamura, T. Inada, A. Kuranouchi and Y. Hirano, IEEE Transaction on ElectronDevicesVol.ED-39, No.9, pp. 2077-2081, 1992年
  67. Considerations of Ultrahigh-Speed Low-Power Active Pull Down NTL Logic Circuits, M.Usami, T. Nakamura, N. Shiozawa, M. Tanabe and T. Mandai, Electronics and Communication in Japan Part 2(Electronics) vol.75, No. 8, pp. 72-82, 1992年
  68. Advanced Process Device Technology for 0.3μm High-Performance Bipolar LSI's, Tamaki, T. Shiba, T. Kure, K. Ohyu, and T. Nakamura, IEEE Transaction on ElectronDevicesVol.ED-39, No.6¸IEEE TransactiononElectronDevicesVol.ED-39, No.6, pp.1387-1391, 1992年
  69. NTLアクティブプルダウン形超高速停電力論理回路の検討, 宇佐見光雄、中村徹、塩沢昇、田辺正倫、万代享宏, 電子通信情報学会論文誌vol. J75C-II,No. 2, pp. 112-120, 1992年
  70. 0.5μm Very-High-Speed Silicon Bipolar Device Technology - U-Groove Isolated SICOS, T. Shiba, Y. Tamaki, T. Kure, T. Kobayashi and T. Nakamura, IEEE Transaction on Electron Devices Vol. ED-38, No. 11, pp.2505-2511, 1991年
  71. Formation of Ultra-shallow P+ Layers in Silicon by Thermal Diffusion of Boron and by Subsequent Rapid Thermal Annealing, T. Inada, A. Kuranouchi, H. Hirano, T. Nakamura, Y. Kiyota and T. Onai, Applied Physics Letters,Vol.58, No.16, pp. 1748-1750, 1991年
  72. Structural Dependence on Device Characteristics for Sidewall Base Contact Structure,  K. Washio, K. Nakazato and T. Nakamura,  Electronics and Communication in Japan Part 2(Electronics)vol. 73, No. 5,  pp. 181-190, 1990年
  73. Base Peripheral Effects on High Performance Self-Aligned Bipolar Device(SICOS), T. Shiba, Y. Tamaki, T. Nakamura, M. Nanba and K. Ikeda, Electronics and Communication in Japan Part 2(Electronics)vol. 73, No. 5,  pp. 100-105, 1990
  74. An Experimental Soft-error-immune 64-Kbit3-ns ECL Bipolar RAM, K. Yamaguchi, H. Nambu, K. Kanetani, N. Homma, T. Nakamura, K. Ohhata, A. Uchida, K. Ogiue, IEEE Journal of Solid-State Circuits Vol.SSC-24, No.5, pp. 1390-1396, 1989年
  75. Process Design of a Novel Shielded SBD and Its Device Characteristics, K. Sagara, T. Onai, N. Homma and T. Nakamura, IEEE Transaction on ElectronDevicesVol.ED-36, No.9, pp. 1853-1854, 1989年
  76. 側壁ベース電極形トランジスタ特性の構造依存性, 鷲尾勝由、中里和朗、中村徹, 電子情報通信学会論文誌 C-IIVol.J73-C-II, No.5, pp.490-497, 1989年
  77. 自己整合バイポーラデバイスSICOSのベース周辺効果,  芝健夫、玉置洋一、中村徹、難波光夫、池田清次, 電子情報通信学会論文誌 C-IIVol.J73-C-II ,No.5, pp. 484-489, 1989年
  78. A Novel CMOS Structure with a Reduced Drain-Substrate Capacitance, K. Sagara and T. Nakamura, IEEE Transaction on Electron Devices vol. 36, No. 3, pp. 598-600, 1989年
  79. Soft-error-immune Switched-load-resistor Memory Cell, N. Homma, T. Nakamura, T. Hayashida, M. Matsumoto, K. Nakazato, T. Onai, Y. Tamaki, M. Namba, K. Sagara and K. Ikeda, IEEE Transaction on Electron Devices Vol.35, No.12, pp.2094-2100, 1988年
  80. Fabrication Process and Device Characteristics of Sidewall Base Contact Structure Transistor Using Two-Step Oxidation of Sidewall Surface, K. Washio, T. Nakamura and T. Hayashida, IEEE Transaction on Electron Devices Vol.35, No.10, pp.1596-1600, 1988年
  81. An Analysis and Experimental Investigation of the cutoff Frequency fT of High-speed Bipolar Transistors, M. Nanba, T. Shiba, T. Nakamura and T. Toyabe, IEEE Transactions on Electron Devices Vol. ED-35, No.7, pp.1021-1028, 1988年
  82. The Effect of Thin Interfacial Oxides on the Electrical Characteristics of Silicon Bipolar Device, K. Sagara, T. Nakamura, Y. Tamaki and T. Shiba, IEEE Transactions on Electron Devices Vol. ED-34, No.11, pp.2286-2290, 1987年
  83. 2.7ns 8x8-bit Parallel Array Multiplier Using Sidewall Base Contact Structure, K. Washio, K. Nakazato and T. Nakamura, IEEE Journal of Solid-sate CircuitsVol.SC-22, No.4, pp. 613-614, 1987年
  84. Wideband Monolithic AGC AMP for 400 Mbit/s Optical Repeaters Using Advanced Si Bipolar IC Technology, SICOS, T. Kinoshita, K. Yamashita, M. Maeda and T. Nakamura, Electronics Letters vol. 22, No. 4, pp.188-189, 1986年
  85. Hole Spreading Effect on Upward Current Gain in NPN Transistor, K. Nakazato and T. Nakamura, IEEE Transaction on Electron Devices Vol. ED-32, No5, pp. 965-971, 1985年
  86. Characteristics and Scaling Properties of NPN Transistors with Sidewall Base Contact Structure, K. Nakazato, T. Nakamura, T. Okabe and M. Nagata, IEEE Journal of Solid-Sate Circuits vol. SC-20, No. 1, pp. 248-252, 1985年
  87. High Speed IIL Circuits Using Side-wall Base Contact Structure, T. Nakamura, K. Nakazato, T. Miyazaki, T. Okabe and M. Nagata, IEEE Journal of Solid-Sate Circuits vol. SC-20, No. 1, pp. 168-172, 1985年
  88. Degradation Analysis of Lateral PNP Transistor Exposed to X-Ray Irradiation, M. Kato, T. Nakamura, T. Toyabe, T. Okabe and M. Nagata, IEEE Transaction on Nuclear Sciencev ol. NS-31, No. 6, pp.1513-1517, 1984年
  89. Self-Aligned Transistor with Sidewall Base Electrode, T. Nakamura, T. Miyazaki, S. Takahashi, T. Kure, T. Okabe and M. Nagata, IEEE Transaction on Electron Devices vol. ED-29, No, 4, pp. 596-600, 1982年
  90. Silicon Bipolar Transistors Fabricated Using Ion Implantation and Laser Annealing, N. Natsuaki, T. Miyazaki, M. Ohkura, T. Nakamura, M. Tamura and T. Tokuyama, Laser and Electron Beam Solid Interactions and Materials Processing, pp. 375-380, 1980年
  91. Photocurrent-Driven B-MOS without External Power Supply, T. Nakamura, T. Masuhara and S. Asai, Japan, J. Appl. Phys .Vol. 17, Suppl. 17-1, pp.43-47, 1977年
  92. Low Temperature Silicon Epitaxy by Partially Ionized Vapor Deposition, T. Itoh, T. Nakamura, M. Muromochi and T. Sugiyama, Japan. J. Applied Physics vol. 16、No. 4, pp. 553-557, 1977年
  93. Antimony Concentration in Silicon Epitaxial Layer Formed by Partially Ionized Vapor Deposition, T. Itoh, T. Nakamura, M. Muromochi and T. Sugiyama, Japan. J. Applied Physics vol. 15、No. 6, pp. 1145-1146, 1977年
  94. Epitaxial Growth of Silicon Assisted byIon Implantation, T. Itoh and T. Nakamura, Radiation Effects Vol. 9, pp. 1-4, 1971年
  95. Analysis of Carrier Transport in Vacuum Evaporated Epitaxial Films of Silicon on Spinel, S. Hasegawa, N. Kaminaka, T. Nakamura and T. Itoh, Journal of Applied Physics vol. 40, No. 11, pp. 4620-4623, 1969年

研究発表等

  1. GaN-on-GaN p-n Power Diodes with 3.48 kV and 0.95 mΩ·cm2: A Record High Figure-of-Merit of 12.8 GW/cm2 , K. Nomoto, M. Zhu, B. Song, Z. Hu, M. Qi, R. Yan, V. Protasenko, E. Imhoff, J. Kuo, N. Kaneda, T. Mishima, T. Nakamura , International Electron Devices Meeting, (Power and Compound Semiconductor Devices Advanced Compound RF and Power Devices 9.7) , Washington DC , 2015年
  2. P‐type Graphene on Ion‐Implanted 4H‐SiC by CF4 Plasma Treatment , Yusuke Shiina, Tomoaki Nishimura, Tohru Nakamura , International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 , Th‐P‐57 , 2015年
  3. CeO2 Dielectrics Passivation for GaN Diode with a Field Plate Termination , Michitaka Yoshino, Fumimasa Horikiri, Hiroshi Ohta, Tomonari Furuya, Tomoyoshi Mishima, Yasuhiro Yamamoto, Tohru Nakamura , E-MRS 2015 Fall Meeting, Symposium H (Invited) , 9-3, 2015年
  4. High-breakdown-voltage and low-on-resistance GaN p-n junction diodes on free-standing GaN substrates , Yohei Otoki, Masatomo Shibata, Hitachi Metals, Kazuki Nomoto, Akihisa Terano, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura , SPIE Photonics West 2015, Gallium Nitride Materials and Devices X , 9363-41 , 2015年
  5. 自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析 (1) , 堀切 文正, 成田 好伸, 吉田 丈洋, 太田 博, 三島 友義, 中村 徹 , 第76回応用物理学会秋季学術講演会 , 16a-4C-4 , 2015年9月
  6. 自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析 (2) , 成田 好伸, 堀切 文正, 吉田 丈洋, 太田 博, 三島 友義, 中村 徹 , 第76回応用物理学会秋季学術講演会 , 16a-4C-5 , 2015年9月
  7. 4.7 kV 耐圧を有する自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオード , 太田 博, 金田 直樹, 堀切 文正, 成田 好伸, 吉田 丈洋, 三島 友義, 中村 徹 , 第76回応用物理学会秋季学術講演会 , 16a-4C-6 , 2015年9月
  8. GaN 基板上縦型 p-n 接合ダイオードにおけるメササイズの検討 , 金澤 翔, 太田 博, 金田 直樹, 堀切 文正, 成田 好伸, 吉田 丈洋, 三島 友義, 中村 徹 , 第76回応用物理学会秋季学術講演会 , 16a-4C-7 , 2015年9月
  9. Mg イオン注入 GaN 層の微視的評価 , 西城 祐亮, 柘植 博史, 加藤 茂樹, 西村 智明,三島 友義, 中村 徹 , 第76回応用物理学会秋季学術講演会 , 15a-4C-9 , 2015年9月
  10. p 型 GaN 層の SiNx パッシベーション膜の検討 , 小田 惟巧, 金田 直樹, 山口 世力, 大平 圭介, 三島 友義, 中村 徹, 第76回応用物理学会秋季学術講演会 , 15a-4C-10 , 2015年9月
  11. Evaluation of highly Mg-ion-implanted GaN layers grown on free-standing GaN substrates , Y. Saijo, H. Tsuge, S. Kato, T. Oikawa, T. Nishimura, T. Mishima, T. Nakamura , 22nd International Conference on Ion Beam Analysis, IBA2015-Book-of Abstracts-0612 PB-33 , 2015年
  12. Evaluation of GaN Epitaxial Layers Grown on Free-Standing GaN Substrates by Fabrications of p-n Diodes , Tomoyoshi Mishima, Kazuki Nomoto and Tohru Nakamura , 2015 MRS Spring Meeting , DD6.11, CC2.01 , 2015年
  13. Mg イオン注入によるGaN 基板へのpn接合の形成 , 及川 拓弥, 西城 祐亮, 加藤 茂樹, 三島 友義, 中村 徹 , The 33th Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology , 2014年12月
  14. Mgイオン注入を用いたGaN MISFETのノーマリーオフ化 , 葛西 駿, 及川 拓弥, 木村 純, 三島 友義, 中村 徹 , The 33th Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology , 2014年12月
  15. Formation of definite GaN p-n junction by Mg-ion implantation to n--GaN epitaxial layers grown on a high-quality free-standing GaN substrate , Takuya Oikawa, Yusuke Saijo, Shigeki Kato, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura, 19th International Conference on Ion Beam Modification of Materials(IBMM2014) , PC86 , 2014年
  16. Threshold Voltage Control of GaN MISFETs Using Tilt Angle Ion Implantation of Magnesium , Hayao Kasai, Takuya Oikawa, Hiroki Ogawa, Tomoyoshi Mishima and Tohru Nakamura , International Workshop on Nitride Semiconductor 2014 (IWN2014) , WeEP12 , 2014年
  17. Graphene Grown on Ion-Implanted 4H-SiC and an Effect of Pre-Plasma Treatment , Toru Sugimachi, Yusuke Shiina, Daiki Aoyagi, Tomoaki Nishimura, Tohru Nakamura , Proc.of 2014 MRS Spring Meeting , DD6.11, 2014 San Francisco, Paper Number:1878188.0 , 2014年
  18. n 型 GaN への Mg イオン注入による pn 接合の形成 , 西城 祐亮, 及川 拓弥, 加藤 茂樹, 三島 友義, 中村 徹 , 第75回応用物理学会秋季学術講演会 , 19p-PB2-9 , 2014年9月
  19. Mgイオン注入を用いたGaN MISFETのノーマリーオフ化 , 葛西 駿, 及川 拓弥, 木村 純, 三島 友義, 中村 徹 , 第75回応用物理学会秋季学術講演会 , 19p-PB2-10 , 2014年9月
  20. p-GaN基板上自己整合型イオン注入MISFETの高耐圧化 , 木村 純, 葛西 駿, 三島 友義, 中村 徹 , 第75回応用物理学会秋季学術講演会 , 19p-PB2-11 , 2014年9月
  21. 自立GaN基板上のイオン注入縦型バイポーラトランジスタ , 高橋 賢伍, 野本 一貴, 三島 友義, 中村 徹 , 第75回応用物理学会秋季学術講演会 , 19p-PB2-12 , 2014年9月
  22. プラズマ処理によるイオン注入4H-SiC上のp-typeグラフェン層の形成 , 椎名 裕亮, 杉町 徹, 青柳 大輝, 西村 智朗, 中村 徹 , 第75回応用物理学会秋季学術講演会 , 18a-PA3-5 , 2014年9月
  23. 金属ゲートイオン注入GaN MISFET , 小川 弘貴, 葛西 駿, 伊藤 駿一, 木村 純, 三島 友義, 土屋 朋信, 中村 徹 , 電気学会 電子デバイス研究会 プログラム 2/2, EDD-14-048 , 2014年3月
  24. フィールドプレート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化に関する研究 , 青柳 拓也, 岡田 裕太郎, 中村 徹 , 2014年法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター公開シンポジウム , [P-1-13] , 2014年1月
  25. Nitrogen Ion Implantation Isolation Technology for Normally-GaN MISFETs on p-GaN Substrate , Hayao Kasai, Hiroki Ogawa, Tomoaki Nishimura, Tohru Nakamura , 10th Internatinal Conference on Nitride Semiconductors 2013 PROGRAM & EXHIBIT GUIDE , P261, DP2.22 , 2013年
  26. High Performance Normally-off Self-aligned Metal Gate GaN MISFETs on Free Standing GaN Substrates , Hiroki Ogawa, Hayao Kasai, Tomonobu Tsuchiya, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura , 2013 ICNS-10 10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013 PROGRAM & EXHIBIT GUIDE , P262, DP2.23 , 2013年
  27. Normally-off GaN MOSFETs with High-k Dielectric CeO2 Films Deposited by RF Sputtering , H. Ogawa, T. Okazaki, H. Kasai, K. Hara, Y. Notani, Y. Yamamoto and T. Nakamura , E-MRS 2013 SPRING MEETING , L-2, L-24 , 2013年
  28. 自立GaN基板上の自己整合型イオン注入ノーマリーオフMISFET , 小川 弘貴, 葛西 駿, 土屋 朋信, 金田 直樹, 三島 友義, 中村 徹 , 第32回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム PROGRAM , P3 11 , 2013年
  29. Alイオン注入4H-SiC表面グラフェン成長とCF4プラズマ前処理効果 , 杉町 徹,青柳 大輝, 西村 智朗, 中村 徹 , 第2回結晶光学未来塾(学習院大学 ポスター番号 6) , 2013年11月
  30. イオン注入4H-SiC 表面におけるグラフェン成長とプラズマ処理効果 , 杉町 徹 , 青柳 大輝, 西村 智朗,中村 徹 , 第74回応用物理学会秋季学術講演会 , 16p-P7-8 , 2013年9月
  31. p-GaN基板上MISFETの窒素イオン注入による素子分離 , 葛西 駿, 小川 弘貴, 西村 智明, 中村 徹 , 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-P7-6 , 2013年9月
  32. 自立GaN基板上の 自己整合型イオン注入ノーマリーオフ型MISFET , 小川 弘貴, 葛西 駿, 土屋 朋信, 金田 直樹, 三島 友義, 中村 徹 , 第74回 応用物理学会秋季学術講演会 , P86, 20p-D7-8 , 2013年9月
  33. 自立GaN基板上の 自己整合型イオン注入ノーマリーオフ型MISFET , 小川 弘貴, 葛西 駿, 土屋 朋信, 金田 直樹, 三島 友義, 中村 徹 , 第74回 応用物理学会秋季学術講演会 , P86, 20p-D7-8 , 2013年9月
  34. 窒素イオン注入によるp-GaN基板上MISFETの素子分離と特性評価 , 葛西 駿, 小川 弘貴, 葛西 武, 中村 徹 , 2013年春季 第60回応用物理学関係連合講演会 , P92, 28p-G11-4 , 2013年3月
  35. 金属ゲートイオン注入GaN MISFETに関する研究 , 小川 弘貴, 葛西 駿, 葛西 武, 中村 徹 , 2013年春季 第60回応用物理学関係連合講演会 , P92, 28p-G11-5 , 2013年3月
  36. High Transconductance Ion-Implanted GaN MISFETs Using Atomic Layer Deposited High- κ Dielectrics , S. Gu, A. Ohoka, K. Lee, W. Lu, P. M. Asbeck, H. Katayose, K. Nomoto, T. Nakamura , 39th International Symposium on Compound Semiconductors , Mo-P.37 , 2012年
  37. 小型GaN p+nダイオードのオン抵抗低減機構に関する考察 , 望月 和浩,寺野 昭久,三島 友義,野本 一貴,中村 徹 , 電気学会電子デバイス研究会予稿 , EDD-12-031 , 2012年
  38. GaN基板上高耐圧GaN pn接合ダイオード , 畠山 義智, 野本 一貴, 中村 徹,金田 直樹, 河野 敏弘, 土屋 忠厳, 三島 友義 , 電気学会電子デバイス研究会予稿 , EDD-12-035 , 2012年
  39. 金属ゲートイオン注入GaN MISFET , 小川 弘貴, 田口 真也, 野本 一貴, 中村 徹, 辛 裕明 , 第73回応用物理学会秋季学術講演会 , 11a-PA5-11 , 2012年9月
  40. イオン注入T型ゲートHEMTにおける高周波特性のソース-ゲート間距離依存性 , 青柳 拓也, 外崎 翔, 片寄 秀雄, 野本 一貴, 中村 徹 , 第73回応用物理学会秋季学術講演会 , 11a-PA5-12 , 2012年9月
  41. 熱処理後の4H-SiC表面の導電性 , 杉町 徹, 松井 章, 西村 智朗, 中村 徹 , 第73回応用物理学会秋季学術講演会 , 11p-F2-11 , 2012年9月
  42. 4H-SiC基板上T 型ゲートイオン注入GaN-HEMT のRF特性 , 外崎 翔, 片寄 秀雄, 青柳 拓也, 野本 一貴, 中村 徹 , 第73回応用物理学会秋季学術講演会 , 12p-F2-11 , 2012年9月
  43. メサ型GaN p-nダイオード電流-電圧特性に対する表面再結合の影響 , 望月 和浩, 野本 一貴, 畠山 義智, 片寄 秀雄, 三島 友義, 金田 直樹, 土屋 忠厳, 寺野 昭久, 石垣 隆士, 土屋 朋信, 土屋 龍太, 中村 徹 , 第73回応用物理学会秋季学術講演会 , 12p-F2-14 , 2012年9月
  44. 低オン抵抗GaN p-nダイオードにおけるフォトンリサイクリング効果の傍証 , 石田 祐也, 三島 友義, 望月 和浩, 野本 一貴, 金田 直樹, 土屋 忠厳, 畠山 義智, 中村 徹 , 第73回応用物理学会秋季学術講演会 , 12p-F2-15 , 2012年9月
  45. 自立GaN基板上の耐圧3kV pn接合ダイオード , 畠山 義智, 野本 一貴, 寺野 昭久, 金田 直樹, 土屋 忠厳, 三島 友義, 中村 徹 , 第73回応用物理学会秋季学術講演会 , 12p-F2-16 , 2012年9月
  46. GaN基板上耐圧2kV超GaN pn接合ダイオード , 畠山 義智, 野本 一貴, 中村 徹, 金田 直樹, 河野 敏弘, 土屋 忠厳, 三島 友義 , 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会 , 17a-13-11 , 2012年3月
  47. 小型GaN p+nダイオードのオン抵抗低減機構に関する考察 , 望月 和浩, 寺野 昭久, 三島 友義, 野本 一貴, 中村 徹 , 電気学会電子デバイス研究会予稿 , EDD-12-031 , 2012年
  48. GaN基板上高耐圧GaN pn接合ダイオード , 畠山 義智, 野本一貴, 中村 徹、金田 直樹, 河野 敏弘, 土屋 忠厳, 三島 友義 , 電気学会電子デバイス研究会予稿 , EDD-12-035 , 2012年
  49. Photon-recycling GaN p-n Diodes Demonstrating Temperature-independent, Extremely Low On-resistance , K. Mochizuki, K. Nomoto, Y. Hatakeyama, H. Katayose, T. Mishima, N. Kaneda, T. Tsuchiya, A. Terano, T. Ishigaki, T. Tsuchiya, R. Tsuchiya, and T. Nakamura , IEDM Digest of Technical Papers , IEDM11-591-594 , 2011年
  50. Large GaN p-n Junction Diodes of 3 mm in Diameter on Free-Standing GaN Substrates with High Breakdown Voltage , Kazuki Nomoto, Tohru Nakamura, Naoki Kaneda, Toshihiro Kawano, Tadayoshi Tsuchiya and Tomoyoshi Mishima , Abstract at International Conference on Silicon Carbide and Related Materials held at Cleveland , Ohio , 2011年
  51. High Threshold Voltage Normally-Off GaN MISFETs Using Self-Alignment Technique , Shinya Taguchi, Kazuya Hasegawa, Kazuki Nomoto and Tohru Nakamura , 9th International Conference on Nitride Semiconductors , PI2.10 , 2011年
  52. GaNオペアンプの高温動作 , 長谷川 一也, 野本 一貴, 中村 徹 , 第71回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 , 2010年9月
  53. 自己整合型シリサイドゲートノーマリーオフGaN MISFET に関する研究 , 田口 真也, 長谷川 一也, 野本 一貴, 葛西 武, 稲田 太郎, 中村 徹 , 第71回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 , 15a-NH-9 , 2010年9月
  54. 微細T型ゲートイオン注入GaN-HEMT に関する研究 , 片寄 秀雄, 太田 理奈雄, 野本 一貴, 葛西 武, 小野島 紀夫, 中村 徹 , 第71回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 , 15a-NH-12 , 2010年9月
  55. 55nm Gate Ion-Implanted GaN HEMTs on Sapphire and Si Substrates , Hideo Katayose, Masanao Ohta, Kazuki Nomoto, Norio Onojima, Tohru Nakamura , International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), IWN2010 PROGRAM&ABSTRACTS , IP1.17, P.243,No. 7–8, 1952–1954 , 2010年
  56. Self-Aligned Silicide Gate GaN MISFET with Normally-Off operation , Shinya Taguchi, Kazuya Hasegawa, Kazuki Nomoto and Tohru Nakamura , International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), IWN2010 PROGRAM&ABSTRACTS , IP1.6, P.240 , 2010年
  57. Over 1.0 kV GaN p-n Junction Diodes on Free-Standing Substrates , Kazuki Nomoto, Yoshitomo Hatakeyama, Hideo Katayos, Tohru Nakamura, Naoki Kaneda and Tomoyoshi Mishima , International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010), IWN2010 PROGRAM&ABSTRACTS , 2010年
  58. Impact of CF4 Plasma Treatment on the Surface Roughness of Ion Implanted SiC Induced by High Temperature Annealing , T. Sugimoto, M. Satoh, T. Nakamura, K. Mashimo, H. Doi and M. Shibagaki , Materials Science Forum Vols. 645-648 , pp 783-786 , 2010年
  59. Improvement of current gain with etched extrinsic base regions of triple ion implanted SiC BJT , T. Tajima, T. Nakamura, Y. Watabe, M. Satoh, T. Nakamura , Materials Science Forum Vols. 645-648 , pp 1065-1067 , 2010年
  60. イオン注入GaN-HEMTの高温動作 , 野本 一貴, 中村 徹 , 第20回高温エレクトロニクス研究会、JAXA宇宙科学研究本部 , 2010年3月
  61. Ion Implantation into GaN & Advanced GaN HEMT Devices , Tohru Nakamura , Special Lecture Program for Distinguished Foreign Scholar at Hangyang University, Seoul, Korea , Nov. 4 , 2009年11月
  62. Multiple ion-implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with remarkably low parasitic source resistance , K. Nomoto, M. Satoh, and T. Nakamura , Materials Science Forum Vols. 600-603 , pp. 1325-1328 , 2009年
  63. Reliability of High-Temperature Operation for GaN-Based Operational Amplifiers , Kazuki Nomoto, Kazuya Hasegawa, Masataka Satoh and Tohru Nakamura , Material Research Society Fall Meeting 2009 , B8.2 , 2009年
  64. High Current Gain Triple Ion Implanted 4H-SiC BJT , Taku Tajima, Tadashi Nakamura, Yuki Watabe, Masataka Satoh and T. Nakamura , Material Research Society Fall Meeting 2009 , B8.3 , 2009年
  65. Degradation of Current Gain for Ion Implanted 4H-SiC Bipolar Junction Transistor , Yuki Watabe, Taku Tajima, and T. Nakamura , Material Research Society Fall Meeting 2009 , B8.4 , 2009年
  66. Improvement of Current Gain with Etched Extrinsic Base Regions of Triple Ion Implanted SiC BJT , Taku Tajima, Tadashi Nakamura, Yuki Watabe, Masataka Satoh and T. Nakamura , International Conference Silicon Carbide and Related Materials 2009 , We-P-70, II-132 , 2009年
  67. High-Temperature Operation of GaN-Based OPAMP on Silicon Substrate , Kazuki Nomoto, Kazuya Hasegawa, and Tohru Nakamura , 8th International Conference on Nitride Semiconductors , P1701 , 2009年
  68. RBS and electrical characterization of Ti/Al-based ohmic contacts to n-GaN , Kazuki Nomoto, Nobuyuki Ito, Taroh Inada, Masataka Satoh, and Tohru Nakamura , 19th Ion Beam Analysis , Tu050 , 2009年
  69. Self-Aligned Ion-Implanted GaN MISFETs , Kazuki Nomoto, Kazuya Hasegawa, Masanao Ohta, Taku Tajima and Tohru Nakamura , 2009 Topical Workshop on Heterostructure , WeA-9 , 2009年
  70. イオン注入を用いたGaNデバイスの高効率化 , 中村 徹 , 第400回電子ジャーナルセミナー 「GaNデバイスの最前線★徹底解説」 , 2009年9月
  71. イオン注入AlGaN/GaN HEMTのフィールドプレート構造の最適化 , 大津 陽祐, 渡部 優貴, 野本 一貴, 中村 徹 , 第70回応用物理学会秋季学術講演会 , 2009年9月
  72. イオン注入を用いた4H-SiCダイオードの熱処理条件によるばらつきの検討 , 中村 善, 渡部 優貴, 田島 卓, 葛西 武, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第70回応用物理学会秋季学術講演会 , 2009年9月
  73. 低濃度Alイオン注入による4H-SiCのアニール特性 , 竹中 一将, 田島 卓, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 2008年度冬季 第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会予稿 , p.80 , 2008年12月
  74. Integrated GaN/AlGaN/GaN HEMTs with Preciously Controlled Resistance on Silicon Substrate Fabricated by Ion Implantation , K. Nomoto, T. Ohsawa, M. Satoh, and T. Nakamura , Mater. Res. Soc. Symp. , Proc. Vol. 1068, 1068-C03-06 , 2008年
  75. イオン注入4H-SiC バイポーラトランジスタの最適構造に関する検討 , 渡部 優貴, 見澤 知典, 田島 卓, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第69回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.359 , 2008年9月
  76. シリコン基板上に形成したイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの温度特性(3) , 大澤 朋, 菱谷 守, 野本 一貴, 中村 徹 , 第69回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.1266 , 2008年9月
  77. T型ゲートイオン注入GaN/AlGaN/GaN-HEMTの微細化に関する研究 , 太田 理奈雄, 田島 卓, 野本 一貴, 葛西 武, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第69回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.1266 , 2008年9月
  78. イオン注入AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化に関する検討(2) , 見澤 知典, 渡部 優貴, 野本 一貴, 中村 徹 , 第69回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.1266 , 2008年9月
  79. Structural and electrical properties of poly-3C-SiC layer grown from P ion implanted 4H-SiC , M. Satoh, T. Jinushi, and T. Nakamura, , The 7th European Confrence on Silicon Carbide and Related Materials , TuP-55 , 2008年
  80. Doping level dependence of electrical properties for p+n 4H-SiC diode formed byAl ion implantation , M. Satoh, S. Nagata, T. Nakamura, H. Doi, M. Shibagaki, , Doping level dependence of electrical properties for p+n 4H-SiC diode formed byAl ion implantation , MoP-54 , 2008年
  81. Impact of initial implantation damage on electrical activation process of on implanted N in 4H-SiC(0001) , M. Satoh, T. Kudoh, and T. Nakamura , The 16th Int. Conf. Ion Beam Modification of Materials , PA-0413 , 2008年
  82. Ohmic contacts on n-type layers formed in GaN/AlGaN/GaN by dual-energy Si ion implantation , T. Shiino, T. Saitoh, T. Nakamura, T. Inada, , The 16th Int. Conf. Ion Beam Modification of Materials , PA-05-10 , 2008年
  83. Effect of base impurity concentration on DC charateristics of double ion implanted 4H-SiC BJTs , T. Tajima, S. Uchiumi, K. Tsukamot, K. Takenaka, M. Satoh, and T. Nakamura , Mater. Res. Soc. Symp. , Proc. 1069, 1069-D01-20 , 2008年
  84. シリコン基板上に形成したイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの温度特性(2) , 大澤 朋, 中嶋 正裕, 野本 一貴, 中村 徹 , 第55回応用物理学会春季学術講演会予稿 , 29p-D-8/Ⅲ , 2008年3月
  85. イオン注入AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化に関する検討 , 見澤 知典, 渡部 優貴, 塚本 健太, 野本 一貴, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第55回応用物理学会春季学術講演会予稿 , 29p-D-17/Ⅲ , 2008年3月
  86. イオン注入GaNトランジスタ , 中村 徹, 野本 一貴, 佐藤 政孝 , 応用物理学会応用電子物性分科会誌 , 第13巻、第5号、PP.178-183,「GaN系電子デバイスの新展開」特集資料 , 2007年12月
  87. Effect of Base Impurity Concentration on DC Characteristics of Double Ion Implanted 4H-SiC BJTs , T. Tajima, S. Uchiumi, K. Tsukamoto, K. Takenaka , MRS 2008 Spring Meeting , 1069-D07-20 , 2007年
  88. Multiple Ion-Implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with Remarkably Low Parasitic Source Resistance , K. Nomoto, M. Satoh and T. Nakamura , International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007 , Th-207 , 2007年
  89. イオン注入SiC BJTのDC特性におけるベース不純物濃度の効果 , 田島 卓, 内海 悟志, 竹中 一将, 塚本 健太, 佐藤 政孝, 中村 徹 , SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 , p.156 , 2007年11月
  90. イオン注入4H-SiCにおける電流増幅率のベース不純物濃度依存性 , 内海 悟志, 田島 卓, 中村 徹, 佐藤 政孝 , 第68回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.421 , 2007年9月
  91. 59. イオン注入4H-SiC BJTにおける電気特性のエミッタ形状依存性 , 田島 卓, 内海 悟志, 塚本 健太, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第68回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.422 , 2007年9月
  92. イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの最適構造に関する検討 , 塚本 健太, 内海 悟志, 田島 卓, 見澤 知典, 中村 徹, 佐藤 政孝 , 第68回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.423 , 2007年9月
  93. イオン注入GaN/AlGaN/GaN-HEMTにおけるゲート電極形成工程のリーク電流に与える影響 , 川田 昌和, 田島 卓, 野本 一貴, 太田 理奈雄, 葛西 武, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第68回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.1433 , 2007年9月
  94. GaN/AlGaN/GaNへの2重イオン注入 , 椎野 智久, 斉藤 智博, 佐藤 政孝, 中村 徹, 稲田 太郎 , 第68回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.1433 , 2007年9月
  95. イオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTにおける低周波雑音解析 , 中嶋 正裕, 大澤 朋, 野本 一貴, 中村 徹 , 第68回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.1446 , 2007年9月
  96. Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN におけるシート抵抗の注入量依存性 , 斉藤 智博, 梶原 裕章, 中村 徹, 佐藤 政孝, 稲田 太郎 , 第68回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.1447 , 2007年9月
  97. シリコン基板上に形成したイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMT の温度特性 , 大澤 朋, 中嶋 正裕, 野本 一貴, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第68回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.1447 , 2007年9月
  98. イオン注入AlGaN/GaN/ HEMT の微細化の検討 , 見澤 知典, 塚本 健太, 田島 卓, 野本 一貴, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第68回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.1447 , 2007年9月
  99. イオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMT のコンタクト抵抗低減化 , 野本 一貴, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第68回応用物理学会秋季学術講演会予稿 , p.1448 , 2007年9月
  100. AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性 , 松島 孝典,中嶋 正裕, 野本 一貴,佐藤 政孝, 中村 徹 , 電子情報通信学会 電子デバイス研究会 , 2006年11月
  101. イオン注入された(11-00)、(112-0)GaNの結晶評価 , 鈴木 彬, 梶原 裕章, 葛西 武, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第67回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1287 , 2006年8月
  102. AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性 , 松島 孝典, 中嶋 正裕, 野本 一貴, 葛西 武, 佐藤 孝, 中村 徹 , 第67回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1292 , 2006年8月
  103. Siイオン注入AlGaN/GaN HEMT特性に及ぼすソース領域の面積効果 , 野本 一貴, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第67回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1297 , 2006年8月
  104. イオン注入GaN FETのソース電流分布の解析 , 佐藤 光, 塚本 健太, 葛西 武, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第67回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1298 , 2006年8月
  105. サブミクロンT型ゲートAlGaN/GaN HEMTへのイオン注入効果(2) , 田島 卓, 野本 一貴, 葛西 武, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第67回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1298 , 2006年8月
  106. Double-ion-implanted GaN MESFETs with extremely low source/drain resistance , K. Nomoto, N. Itoh, T. Tajima, T. Kasai, T. Mishima, T. Inada, M. Satoh, and T. Nakamura , Mater. Res. Soc. Sympo. , Vol. 892, 0892-FF13-06.1 , 2006年
  107. Fabrication and electrical characteristics of Ti/Al ohmic contact to Si+ implanted GaN , N. Ito, A. Suzuki, M. Kawamura, K. Nomoto, T. Kasai, T. Mishima, T. Inada, T. Nakamura, M. Satoh , Mater. Res. Soc. Sympo. Proc. , Vol. 892, 0892-FF14-03.1 , 2006年
  108. Ion-Implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with Extremely Low Gate Leakage Current , Kazuki Nomoto, Tomoyoshi Mishima, Masataka Satoh and Tohru Nakamura , Mat. Res. Soc. Symp, 2006 Materials Research Society , 2006年
  109. Investigation of electrical properties in Si ion implanted GaN layer as a function of dose and energy , M. Satoh, T. Saitoh, K. Nomoto, and T. Nakamura , Mater. Res. Soc. Sympo. Proc , 955E, 0955-I15-31 , 2006年
  110. Siイオン注入AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減による特性改善 , 野本 一貴, 田島 卓, 葛西 武, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会 , p.1502 , 2006年3月
  111. サブミクロンT型ゲートAlGaN/GaN HEMTへのイオン注入効果 , 田島 卓, 野本 一貴, 葛西 武, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会 , p.1503 , 2006年3月
  112. Fabrication and Electrical Characteristics of Ti/Al Ohmic Contact to Si implanted GaN , N. Ito, A. Suzuki, M.Kawamura, K.Nomoto, T.Kasai, T.Mishima, T. Inada, M. Satoh and T. Nakamura , Mat. Res. Soc. Symp Pro., 2005 Materials Research Society , 2005年
  113. Double Ion Implanted GaN MESFETs with Extrelely Low Source/Drain Resistance , K.Nomoto, N.Ito, T.Tajima, T.Kasai, T.Mishima, T. Inada, M. Satoh and T. Nakamura , Mat. Res. Soc. Symp Pro., 2005 Materials Research Society , 2005年
  114. Double Ion Implanted GaN MESFETs with Extrelely Low Source/Drain Resistance , K.Nomoto, N.Ito, T.Tajima, T.Kasai, T.Mishima, T. Inada, M. Satoh and T. Nakamura , MRS MEERING ABSTRACTS , 801 , 2005年
  115. Fabrication and Electrical Characteristics of Ti/Al Ohmic Contact to Si implanted GaN , N. Ito, A. Suzuki, M.Kawamura, K.Nomoto, T.Kasai, T.Mishima, T. Inada, M. Satoh and T. Nakamura , 2005MRS MEETING ABSTRACTS , 804 , 2005年
  116. Siイオン注入(1-100)、(11-20)GaNの結晶性評価 , 鈴木 彬,河村 光則,葛西 武,佐藤 政孝,中村 徹 , 第66回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1239 , 2005年9月
  117. GaNへイオン注入されたSiの活性化率の注入量依存性 , 河村 光則,鈴木 彬,松島 孝典,葛西 武,佐藤 政孝,中村 徹 , 第66回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1240 , 2005年9月
  118. Siイオン注入GaN上へのTi/Alオーミック電極の形成と電気特性 , 伊藤 伸之,葛西 武,佐藤 政孝,中村 徹 , 第66回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1242 , 2005年9月
  119. Si イオン注入GaN MESFETのオン抵抗低減化の検討 , 野本 一貴, 田島 卓, 葛西 武, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第66回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1249 , 2005年9月
  120. Si イオン注入GaN-MESFETの最大ドレイン電流特性の熱処理温度依存性 , 野本 一貴, 大坪 修治, 葛西 武, 佐藤 政孝, 中村 徹 , 第66回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1598 , 2005年4月
  121. イオン注入GaN MESFETの最大ドレイン電流の熱処理温度依存性 , 野本 一貴, 中村 徹 , 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会 , No.3, p.1598 , 2005年3月
  122. InGaP/GaAs C-up TC-HBTの出力コンダクタンス特性解析 , 飯田 将也, 伊藤 伸之, 佐藤 光, 中村 徹, 望月 和浩, 田中 健一 , 第23回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム , 2004年12月
  123. CMOSトランジスタの低周波雑音特性とチャネル抵抗との関係 , 安部 尚志, 中村 徹, 土屋 龍太 , 第65回応用物理学会秋季学術講演会 , p.770 , 2004年9月
  124. トンネルバリア構造InGaP/GaAs C-up TC-HBTのコレクタサイズ依存性効果 , 飯田 将也, 中村 徹, 望月 和浩, 田中 健一 , 第65回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1242 , 2004年9月
  125. (1-100)SiC基板上に成長した(1-100)GaNの導電率異方性 , 大坪 修治, 中村 徹, 佐藤 政孝, 三島 友義, 高野 和人 , 第65回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1248 , 2004年9月
  126. Ti/Al-GaN Reaction Mechanism Forming Low Contact Resistivity , Y. Fukasawa, T. Nakamura, T. Nakamura , Mat. Res. Soc. Symp Pro. 2003 Materials Research Society , Vol. 743, pp. 795-799 , 2003年
  127. 1/f noise characteristics of sub-0.1micron CMOS for high-speed analog ULSI , T. Nakamura, M. Hase, K. Ohnishi, R. Tuchiya and T. Onai , 21st International Workshop on the Physics of Semiconductoru Devices, IIT Madras, Chennai, India , 2003年
  128. Measurement of heat radiation from semiconductor equipment , A. Ohsawa,Tohru Nakamura, M. Satoh, T. Nakamura, J. Hata, Y. Kobayashi, T. Miyashita, M. Takahashi, M. Ohtani , SEMI Global Environment Symposium, Dec. 2003 , 2003年
  129. Direct Measurement of Heat Emission from a Semiconductor Equipment , A. Ohsawa, T. Nakamura, M. Satoh, T. Nakamura and J. Hata , The International Semiconductor Environment, Safety and Health(ISESH) conference 2003 , 2003年
  130. Ti/Al Interface Analysis for Low Contact Resistance formation , Y. Fukasawa, T. Nakamura, T. Nakamura , 2002MRS MEETING ABSTRACT , p. 297 , 2002年
  131. GaAs-HBTの寄生領域軽減に関する検討 , 酒井 紘平, 中村 徹 , 2002年春季 第49回応用物理学関係連合講演会 , 2002年3月
  132. MOSFETにおける低周波雑音特性解析(4) , 長谷 昌俊, 中村 徹 , 2002年春季 第49回応用物理学関係連合講演会 , 2002年3月
  133. GaN上に形成したTi/Al海面解析Ⅱ , 深沢 義道, 中村 徹 , 2002年春季 第49回応用物理学関係連合講演会 , 2002年3月
  134. GaNのマイクロ波プラズマエッチング , 藤江 努, 中村 徹 , 2002年春季 第49回応用物理学関係連合講演会 , 2002年3月
  135. SiBJT・SiGeHBTにおける低周波雑音特性解析(1) , 野口 貴志, 宮岡 正浩, 長谷 昌俊, 酒井 紘平, 中村 徹, 鷲尾 勝由 , 第62回応用物理学会秋季学術講演会 , p.693 , 2001年9月
  136. SiBJT・SiGeHBTにおける低周波雑音特性解析(2) , 宮岡 正浩, 野口 貴志, 長谷 昌俊, 酒井 紘平, 中村 徹, 鷲尾 勝由 , 第62回応用物理学会秋季学術講演会 , p.694 , 2001年9月
  137. MOSFETにおける低周波雑音特性解析(3) , 長谷 昌俊, 宮岡 正浩, 野口 貴志, 中村 徹, 尾内 享裕 , 第62回応用物理学会秋季学術講演会 , p.694 , 2001年9月
  138. GaNへのイオン注入(2) , 窪田 敬一, 中村 徹, 三島 友義, 寺野 昭久 , 第62回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1058 , 2001年9月
  139. GaN上に形成したTi/Al界面解析 , 深沢 義道, 中村 智宣, 中村 徹 , 第62回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1058 , 2001年9月
  140. GaAs‐HBTのON抵抗軽減に関する検討 , 酒井 紘平, 宮岡 正浩, 野口 貴志, 中村 徹, 望月 和浩, 岡 徹 , 第62回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1059 , 2001年9月
  141. SF6を用いたGaNのマイクロ波プラズマエッチング , 藤江 努, 中村 徹 , 第62回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1059 , 2001年9月
  142. 「超高速デバイスとその応用」概要 , 中村 徹 , 平成13年電気学会電子・情報・システム部門大会、TC10-1, 平成13年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集{1} , pp. I-69-I70 , 2001年9月
  143. A 50nm CMOS Technology for High-Speed, Low-Power, and RF Application in 100nm node SoC Platform , K. Ohnishi, R. Tsuchiya, T. Yamauchi, F. Ootsuka, K. Mitsuda, M. Hase, T. Nakamura, T. Kawahara and T. Onai , 2001 International Electron Devices Meeting , pp. 227-230 , 2001年
  144. MOSFETにおける低周波雑音特性解析 , 岡本 達志, 中村 徹, 樋口 克彦 , 第61回応用物理学会秋季学術講演会 , p.783 , 2000年9月
  145. GaNへのO、Si原子のイオン注入 , 窪田 敬一, 中村 徹 , 第61回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1175 , 2000年9月
  146. SF6を用いたGaNのマイクロ波プラズマエッチング , 長谷部 貴之, 中村 徹 , 第61回応用物理学会秋季学術講演会 , p.1176 , 2000年9月
  147. Advanced Performance of Small-Scaled InGaP/GaAs HBTs with fT over 150GHz and fmax over 250GHz, T.Oka, K. Hirata, K. Ouchi, H. Uchiyama, T. Taniguchi, and T. Nakamura, 1998 International Electron Devices Meeting, #25.1, 1998年12月
  148. High-speed InGaP/GaAs HBTs with Ballistic Transport in an Ultra-thin Base, (T. Oka, K. Ouchi, K. Mochizuki and T. Nakamura, 25th International Symposium on Compound Semiconductors, 1998 年10月
  149. Cascode-ConnectedDual-Gate InGaAsPseudomorphic HEMT(CC-HEMT) for HighPower Amplifiers UsingSingle Voltage Supply(Invited Paper), T.Nakamura, T.Tanimoto, H. Matsumoto, I. Ohbu, S. Tanaka and N. Homma, 1996 Asia-Pacific Microwave Conference, 1996年12月
  150. New Technology of a Wsi Base Electrode anda Heavily-Doped Thin Base Layer for High-Performance InGaP/GaAsHBTs, T.Oka, K. Ouchi, K. Mochizuki, T. Tanoue and T. Nakamura, 1996 International Conference of SSDM, 1996年
  151. High Speed InGaP/GaAs HBTs with fmax of 159 GHz, T.Oka, K. Ouchi, K. Mochizuki, T. Tanoue and T.Nakamura, Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics(TWHM ’96), 1996年
  152. Cascode-Connected GaAs E/D Dual Gate HEMTs(CC-HEMT) for L-Band High Power Amplifier, T. Tanimoto, I. Ohbu, A. Kawai, S. Tanaka and T. Nakamura, Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics(TWHM ’96), 1996年
  153. Bipolar and BiCMOS on SOI(Invited), T.Nakamura, T. Shiba and T. Ikeda, 1996 3rd ECS Meeting for SOI, 1996年
  154. Test Structure and Experimental Analysis of Emitter-Base Reverse Voltage Stress Degradation in Self-Aligned Bipolar Transistors, H. Shimamoto, M. Tanabe, T. Onai, K. Washio and T. Nakamura, IEICE Transaction on Electronics vol. E79-C, No.2, pp. 211-218, 1996年
  155. High Efficiency Dual-Gate InGaAs Pseudomorphic HEMTs for High-Power AMP Using Single-Voltage Supply, I. Ohbu, T. Tanimoto, S. Tanaka, H. Matsumoto, A. Terano,M. Kudo and T. Nakamura, International Electron Devices Meeting, 1995年12月
  156. Single Voltage Supply High Efficiency InGaAs Pseudomorphic Double Hetero HEMTs with Pt Buried Gates, T.Tanimoto, I. Ohbu, S. Tanaka, H. Matsumoto, A. Terano and T. Nakamura, 1995 International Conference of SSDM, 1995年8月
  157. Dual-Gate FETs for Ultra-High Efficiency HPA, T. Tanimoto, S. Tanaka, I. Ohbu, H. Matsumoto and T. Nakamura, 53rd Annual Device Research Conference, 1995年6月
  158. 47 GHz fT Si HBT with μC-Si Very Thin a-SiCx Double-Layer Emitter, M. Kondo, T. Shiba, Y. Tamaki and T. Nakamura, 5th International Symposium on Ultra Large Scale Integration Science & Technology, 1995年5月
  159. A New Optical Waveguide Structure-A Trench Channel-type High Density Waveguide in Si, T. Nakamura, T. Kato, T. Tanoue, F. Murai and M. Takeda, , SPIE Opto-electronic Interconnects III vol. 2400, pp. 94-99, 1995年5月
  160. GaInP/GaAs HBTs with Selectively Regrown Emitter and Widegap Extrinsic Base, S. L. Fu, S. Park, Y. M. Hsin, M. C. Ho, T. P. Chin, P. L. Yu,C. W. Tu, P. M. Asbeck and T. Nakamura, 52nd Annual Device Research Conference, 1994年6月
  161. InP/InGaAs Hetero-junction Bipolar Transistors with Regrown Emitters, H. Masuda, T. Tanoue, H. Kashima, T. Mochizuki and T. Nakamura, 6th International Conference on InP and Related Materials, 1994年4月
  162. An NPN 30 GHz, PNP 32 GHz fT ComplementaryBipolar Technology, (T. Onai, E. Ohue, Y. Idei, M. Tanabe, K. Washio and T. Nakamura, 1993 InternationalElectron DevicesMeeting, 1993年12月
  163. A 9.4μm2 38 GHz Sidewall Polycide Base Bipolar(SPOTEC)with Half-Micron CMOS Technology for Very-High-Speed ULSIs, T. Shiba, Y. Tamaki, T. Onai, M. Saitoh, T. Kure and T. Nakamura, IEEE 1993 Bipolar Circuits and Technology Meeting, 1993年10月
  164. AlGaAs/GaAs HBTs with Reduced Base-Collector Capacitance by Using Buried SiO2 and Poly-Crystalline GaAs in the Extrinsic Base and Collector, K. Mochizuki, T. Nakamura, T. Tanoue, H. Masuda and M. Horiuchi, 51st Annual Device Research Conference, 1993年6月
  165. Molecular Beam Deposition of Low-Resistance Poly-crystalline GaAs, K. Mochizuki, T. Nakamura, H. Masuda, T. Tanoue and M. Horiuchi, 1993 Electronic Material Conference, 1993年6月
  166. Sub-Quarter-Micron PMOSFETs with Shallow Source and Drain Formed by Rapid Vapor-Phase Doping(RVD), Y. Kiyota, T. Nakamura and T. Inada, 1993 Symposium on VLSI Technology, 1993年6月
  167. Bipolar and BiCMOS Devices and Circuitsfor ULSI, T. Nakamura, 183rd ECS Meeting vol. 93-1, 1993年5月
  168. Evaluation the Graft-Base Lateral Diffusion Depth of High-Performance Bipolar Transistor by Using Test Structure, Y. Tamaki, T. Shiba, T. Kure and T. Nakamura, 1993 International Conference on Microelectronics Test Structures, 1993年3月
  169. A Heterojunction Bipolar Transistor with an Epitaxially Regrown Emitter, T. Tanoue, H. Masuda, K. Washio and T. Nakamura, 1992 International Electron Devices Meeting, 1992年12月
  170. Novel Doping Process for Ultra-Shallow Junction: Rapid Vapor Phase Direct Doping, (Y. Kiyota, T. Onai, T. Nakamura, T. Inada, A. Kuranouchi and Y. Hirano, Material Research Society Spring Meeting 92, 1992年5月
  171. A 35 GHz 20μm2 Self-Aligned PNP Technology for Ultra-High-Speed High-Density Complementary Bipolar ULSIs, K. Washio, H. Shimamoto and T. Nakamura, 1992 Symposium on VLSI Technology, 1992年5月
  172. FRACS(Fully Radiative Current Path Structure)-A High Speed Bipolar Transistor with sub0.1μm Emitter, T. Onai, K. Nakazato, Y. Kiyota and T. Nakamura, 1992 Symposium on VLSI Technology, 1992年5月
  173. Test Structure and Experimental Analysis of Bipolar Hot-Carrier Degradation Including Stress Field Effect, H. Shimamoto, M. Tanabe, T,. Onai, K. Washio and T. Nakamura, 1992 International Conference on MicroelectronicsTest Structures, 1992年2月
  174. SOTEC-A Sub-10μm2Bipolar Transistor Structure Using Fully Self-aligned Sidewall Polycide Base Technology、T. Shiba, Y. Tamaki, T. Onai, M. Saito, T. Kure, F .Murai and T. Nakamura、1991 International Electron Devices Meeting、1991年12月
  175. A 64 GHz Si Bipolar Transistor Using In-Situ Phosphorus Doped Polysilicon Emitter Technology, M. Nanba, T. Kobayashi, T. Uchino, T. Nakamura, M. Kondo, Y. Tamaki, S. Iijima, T. Kure and M. Tanabe, 1991 International Electron Devices Meeting、1991年12月
  176. Ultra-small High-speedBipolar Transistorwith Sidewall SilicideTechnology(Invited Paper), T. Nakamura, T. Onai, N. Homma, T. Shiba and Y. Tamaki, 1991 BipolarCircuits andTechnology Meeting, 1991年9月
  177. Rapid Vapor-Phase Direct Doping: Ultra-Shallow Junction Formation Methods fo rHigh-Speed Bipolar and Highly-Integrated DRAM LSIs, Y. Kiyota, T. Onai, T. Nakamura, T. Inada, A. Kuranouchi and Y. Hirano, 1991 International Conference of Solid State Device and Materials, 1991年8月
  178. An Ultra-High Emitter Efficiency Transistor with a Low-Temperature Processed Polysilicon Emitter for High-Speed Bipolar ULSI, M. Kondo, M. Nanbe, T. Kobayashi, S. Iijima and T. Nakamura, 1991 Symposium on VLSI Technology, 1991年5月
  179. Soft Error Immune 180um2 SICOS Upward Transistor Memory Cell Suitable for Ultra-high-speed High-density Memories, Y. Idei, T. Shiba, N. Homma, K. Yamaguchi, T. Nakamura, T. Onai, M. Namba, Y. Tamaki and Y. Sakurai, 1991 Symposium on VLSI Technology, 1991年5月
  180. Advanced Device Process Technology for0.3μm Self-Aligned Bipolar LSIs, Y. Tamaki, T. Shiba, T. Kure, K. Ohyu and T. Nakamura, 1990 Bipolar Circuits and Technology Meeting, 1990年9月
  181. 29 ps ECL Circuits Using U-Grooved Isolated SICOS Technology, T. Shiba, Y. Tamaki, I. Ogiwara, T. Kure, T. Kobayashi, K. Yagi, M. Tanabe and T. Nakamura, 1989 International Electron Devices Meeting, 1989年12月
  182. 1/5 Alpha-Ray-Induced Charge Reduction Using a New Trench Structure, T. Onai, T. Nakamura, K. Nakazato and N. Homma, 1989 Symposium on VLSI Technology, 1989年5月
  183. A 36 kb/2 ns RAM with1 kG/100 ps LogicGate Array, S. Isomura, A. Uchida, M. Iwabuchi, K. Ogiue, K. Matsumura, T.Nakamura and K. Yamaguchi, InternationalSolid StateCircuit Conference, 1989年1月
  184. Low Temperature Pseudo HBT Utilizing Bandgap Narrowing Effects, T. Yano, K. Nakazato, T. Onai, M. Aoki, K. Shimohigashi, T. Nakamura and T. Masuhara, 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1988年8月
  185. An Experimental Soft-error Immune64-kb 3ns ECL Bipolar RAM, K. Yamaguchi, H. Nanbu, K. Kanetani, N. Homma, T. Nakamura, K. Oohata, A. Uchida and K. Ogiue, Bipolar Circuits and Technology Meeting, 1988年8月
  186. Base Peripheral Effects on Future Self-aligned Bipolar devices for VLSIs, T. Shiba, Y. Tamaki, M. Nanba, K. Ikeda and T. Nakamura, Symposium on VLSI Technology, 1988年5月
  187. New Self-aligned Bipolar Device Process Technology for Sub50ps ECL Circuits, Y. Tamaki, T. Shiba, K. Ikeda, T. Nakamura S. Ohyu and T. Hayashida, Bipolar Circuits and Technology Meeting, 1987年9月
  188. Soft-Error Immune Switched-Load-Resistor Memory Cell, N. Homma, T. Nakamura, T. Hayashida, M. Matsumoto, K. Nakazato, T. Onai, T. Tamaki, M. Nanba, K. Sagara and K. Ikeda, Symposium on VLSI Technology, 1987年5月
  189. A 48 ps ECL in a Self-Aligned Bipolar Technology, K. Washio, T. Nakamura, K. Nakazato and T. Hayashida, 1987 International Solid-State Circuit Conference, 1987年2月
  190. 63 ps ECL Circuits Using Advanced SICOS Technology, T. Nakamura, K. Ikeda, K. Nakazato, K. Washio, M. Namba and T. Hayashida, 1986 International Electron Devices Meeting, 1986年12月
  191. A 3 GHz Lateral PNP Transistor, K. Nakazato, T. Nakamura and M. Kato, 1986 International Electron Devices Meeting, 1986年12月
  192. Ultra-High-Speed Bipolar Devices-SICOS(Invited Paper), T. Nakamura, K. Nakazato, K. Washio, Y. Tamaki, M. Nanba and T. Hayashida, 1986 International Conference of Solid State device and Materials, 1986年8月
  193. A New SICOS Schottky Devices, Y. Okada, T. Nakamura, T. Okabe and M. Nagata, 1985 International Electron Devices Meeting, 1985年12月
  194. A 6 GHz ECL Frequency Divider Using Sidewall Base Contact Structure, K. Nakazato, T. Nakamura, J-I Nakagawa, T. Okabe and M. Nagata, 1985 International Solid-State Circuit Conference, 1985年2月
  195. Degradation Analysis of Lateral PNP Transistor Exposed to X-Ray Irradiation, M. Kato, T. Nakamura, T. Toyabe, T. Okabe and M. Nagata, 1984 Annual Conference on Nuclear and Space Radiation Effects, 1984年6月
  196. Integrated 84 ps ECL with IIL, T. Nakamura, K. Nakazato, T. Miyazaki, T. Okabe and M. Nagata, 1984 International Solid-State Circuit Conference, 1984年2月
  197. 290 ps IIL Circuits with Five-Hold Self-Alignment, T. Nakamura, K. Nakazato, T. Miyazaki, M. Ogirima, T. Okabe and M. Nagata, 1982 International Electron Devices Meeting, 1982年12月
  198. SICOS - A High-Performance Bipolar Structure for VLSI, K. Nakazato, T. Nakamura, T. Miyazaki, T. Okabe and M. Nagata, 1982 Symposium on VLSI Technology, 1982年9月
  199. Self-Aligned Transistor with Sidewall Base Electrode, T. Nakamura, T. Miyazaki, S. Takahashi, T. Kure, T. Okabe and M. Nagata, 1981 International Solid-State Circuit Conference, 1981年2月
  200. Photo-current-Driven B-MOS without External Power Supply, T. Nakamura, T. Masuhara and S. Asai, 1977 9th Conferenceof Solid-State Devices, 1977年8月
  201. Back-Gate-Input MOS -A New Low Power Logic Concept, S. Asai, T. Masuhara and T. Nakamura, 1976 International Electron Devices Meeting, 1976年12月

知的財産等

  1. 名称:ポリシリコン抵抗および半導体装置, 出願番号:P026854, 出願日:1997/08/15,
    登録番号:P02685498, 登録日:1997/08/15
  2. 名称:デコーダ回路, 出願番号:P02659715, 出願日:1997/06/06,
    登録番号:P02659715, 登録日:1997/06/06
  3. 名称:半導体装置, 出願番号:P02613598, 出願日:1997/02/27,登録番号:P02613598
    登録日:1997/02/27
  4. 名称:半導体装置, 出願番号:P02119465, 出願日:1996/12/20, 登録番号:P02119465
    登録日:1996/12/20
  5. 名称:半導体装置, 出願番号:P02115419, 出願日:1996/12/06, 登録番号:P02115419
    登録日:1996/12/06
  6. 名称:半導体集積回路装置およびその製造方法, 出願番号:P02585706,
    出願日:1996/12/05,登録番号:P02585706,登録日:1996/12/05
  7. 名称:半導体装置, 出願番号:P02110510, 出願日:1996/11/21, 登録番号:P02110510
    登録日:1996/11/21
  8. 名称:半導体装置およびその製造方法, 出願番号P02547755, 出願日:1996/08/08
    登録番号:P02547755, 登録日:1996/08/08
  9. 名称:半導体メモリ, 出願番号:P02075219, 出願日:1996/07/25,
    登録番号:P02075219, 登録日:1996/07/25
  10. 名称:半導体装置およびその製造方法, 出願番号:P02531680, 出願日:1996/06/27
    登録番号, P02531680, 登録日:1996/06/27
  11. 名称:固体撮像装置およびその製造方法, 出願番号:P02056178,
    出願日:1996/05/23,登録番号:P02056178, 登録日:1996/05/23
  12. 名称:半導体装置の製造方法, 出願番号:P02051198, 出願日:1996/05/10
    登録番号:P02051198, 登録日:1996/05/10
  13. 名称:半導体装置, 出願番号:P01987352, 出願日:1995/11/08,
    登録番号:P01987352,登録日:1995/11/08
  14. 名称:半導体装置の製造方法, 出願番号:P01968597, 出願日:1995/09/18,
    登録番号:P01968597, 登録日:1995/09/18
  15. 名称:メモリ集積回路, 出願番号:P01962837, 出願日:1995/08/25,
    登録番号:P01962837, 登録日:1995/08/25
  16. 名称:半導体記憶セル, 出願番号:P01962835, 出願日:1995/08/25,
    登録番号:P01962835, 登録日:1995/08/25
  17. 名称:半導体装置, 出願番号:P01957572, 出願日:1995/08/10,
    登録番号:P01957572,登録日:1995/08/10
  18. 名称:半導体装置, 出願番号:P01956129, 出願日:1995/07/28,
    登録番号:P01956129, 登録日:1995/07/28
  19. 名称:半導体装置, 出願番号:P01950969, 出願日:1995/07/10,
    登録番号:P01950969,登録日:1995/07/10
  20. 名称:半導体装置, 出願番号:P01909149, 出願日:1995/03/09,
    登録番号:P01909149,登録日:1995/03/09
  21. 名称:半導体装置, 出願番号:P01904610, 出願日:1995/02/08,
    登録番号:P01904610,登録日:1995/02/08
  22. 名称:半導体装置の製造方法, 出願番号:P01904690, 出願日:1995/02/08,
    登録番号:P01904690,登録日:1995/02/08
  23. 名称:半導体装置の製造方法, 出願番号:P01894045, 出願日:1994/12/26,
    登録番号:P01894045,登録日:1994/12/26
  24. 名称:半導体装置の製造方法, 出願番号:P01844689, 出願日:1994/05/25,
    登録番号:P01844689,登録日:1994/05/25
  25. 名称:半導体装置, 出願番号:P01845929, 出願日:1994/05/25,
    登録番号:P01845929, 登録日:1994/05/25
  26. 名称:半導体装置, 出願番号:P01894053, 出願日:1994/03/09,
    登録番号:P01894053, 登録日:1994/03/09
  27. 名称:半導体装置, 出願番号:P01804049, 出願日:1993/11/26,
    登録番号:P01804049, 登録日:1993/11/26
  28. 名称:半導体装置の製造方法, 出願番号:P01793644, 出願日:1993/10/14,
    登録番号:P01793644, 登録日:1993/10/14
  29. 名称:半導体集積回路装置, 出願番号:P01728497, 出願日:1993/01/19,
    登録番号:P01728497, 登録日:1993/01/19
  30. 名称:半導体装置の製造方法, 出願番号:P01656418, 出願日:1992/04/13,
    登録番号:P01656418,登録日:1992/04/13
  31. 名称:半導体装置の製造方法, 出願番号:P01632757, 出願日:1991/12/26,
    登録番号:P01632757, 登録日:1991/12/26
  32. 名称:半導体装置, 出願番号:P01632881, 出願日:1991/12/26,
    登録番号:P01632881, 登録日:1991/12/26
  33. 名称:耐放射線半導体素子, 出願番号:P01623528, 出願日:1991/12/14,
    登録番号:P01623528, 登録日:1991/12/14
  34. 名称:耐放射線半導体集積回路装置, 出願番号:P01620537, 出願日:1991/10/09,
    登録番号:P01620537, 登録日:1991/10/09
  35. 名称:耐放射線IIL集積回路装置, 出願番号:P01599138, 出願日:1991/01/31,
    登録番号:P01599138, 登録日:1991/01/31
  36. 名称:半導体装置, 出願番号:P01540495, 出願日:1990/01/31,
    登録番号:P01540495, 登録日:1990/01/31
  37. 名称:半導体集積回路装置, 出願番号:P01514295, 出願日:1989/08/24,
    登録番号:P01514295, 登録日:1989/08/24
  38. 名称:差動増幅回路, 出願番号:P01362514, 出願日:1987/02/09,
    登録番号:P01362514, 登録日:1987/02/09
  39. 名称:半導体不揮発性メモリ, 出願番号:P01143885, 出願日:1983/04/26,
    登録番号:P01143885, 登録日:1983/04/26
  40. 名称:半導体集積回路装置, 出願番号:P01111255, 出願日:1982/08/31,
    登録番号:P01111255, 登録日:1982/08/31

受賞学術賞等

所属学会等

委員会活動