写真	設備（設備群）名	仕様	連絡先
	8元マグネトロンスパッタ 装置	2インチカソード8本 試料サイズ30mm角 RF電源 500W 2台 基板加熱：600℃ 1 kV Arイオンエッチング機構 試料交換室に8サンプルバンク可	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	8元MBE装置	蒸着源：4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個 試料サイズ30mm角 高圧電源3台 基板加熱：1000℃ 1kV Arイオンエッチング機構 25 kV RHEED表面観察機能	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	3元マグネトロンスパッタ 装置 島津製作所 HSR-522	4インチカソード3本， RF電源500 W 2台 逆スパッタ機構，基盤回転， シャッター開閉機構による 多層膜成長可能	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp

微細加工・プロセス装置

写真	設備（設備群）名	仕様	連絡先
	電子線露光装置 日本電子社製 JBX6300FS	加速電圧：25/50/100kV 最小ビーム径：2nm ビーム電流：100pA-2nA 重ね合わせ精度：±9nm 最大試料サイズ：8inchφ	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	マスクアライナ キャノン社製 PLA-501(S)	厚さ0.7μm以下の不定形試料に対応	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	ECR-SIMS エッチング装置	ECRイオンガン：入江工研社製 RGB-114　マイクロ波入力150 W， 加速電圧600 V，イオン照射径30mm SIMS検出器：PFEIFFER社製 EDP400 分析質量1-512 amu 試料角度調整，回転機構付き	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	イオン注入装置 日新電機社製 NH-20SR-WMH	加速電圧：5-200kV 注入電流 1µA～100µA	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	フェムト秒レーザー加工分析システム 輝創 UFL-Hybrid	光源：1041nm, 550fs, 10µJ (IMRA µjewel D-1000) 高調波発生ユニット： 40% @520nm, 5% @347nm (加工ステーション) 最大試料寸法：100mm x 100mm 加工スポット：3.5 µmφ (分析ステーション) 時間分解蛍光・磁気分析 (光干渉断層撮影ステーション) 撮影エリア：10mm x 10mm x 1.6mm 深さ分解能：7µ	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	電気炉 光洋リンドバーグ社製 MODEL272-2	温度範囲：400-1100℃	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	急速加熱処理装置 AG Associates社製 Heatpulse 610	温度範囲：400～1200℃ 昇温速度：200℃/sec	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp

電子顕微鏡及び関連装置

写真	設備（設備群）名	仕様	連絡先
	反応科学超高圧 走査透過電子顕微鏡 JEM 1000K RS	TEM点分解能：0.15nm以下 STEM機能プローブ径：1nm 加速電圧： 1000kV, 800kV, 600kV, 400kV 0.1気圧までの各種ガス環境下での その場観察 EELSによる元素分析機能　3D観察	超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp
	高分解能電子状態計測 走査透過型電子顕微鏡 JEM-ARM200(Cold) (収差補正電子顕微鏡)	TEM点分解能：0.19nm STEM機能プローブ径：有＜60pm 照射レンズ系に収差補正機能を搭載 加速電圧： 200,80kV0 冷電界放出電子銃 TEM, STEM, EDS, EELS 電子線ホログラフィー	超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp
	電界放出走査透過電子顕微鏡 EM-10000BU (収差補正電子顕微鏡)	TEM点分解能：0.11nm STEM機能プローブ径：有＜70pm 照射レンズ系、結像レンズ系の それぞれに収差補正機能を搭載　 加速電圧： 200,80kV 電界放出電子銃 TEM, STEM, EDS, EELS 電子線ホログラフィー	超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp
	高分解能透過型電子顕微鏡 システム JEM-2100F-HK	TEM点分解能：0.2nm STEM機能 加速電圧： 200kV 電界放出電子銃 TEM, STEM, EDS	超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp
	透過電子顕微鏡システム JEM-2100plus	TEM点分解能：0.25nm STEM機能有 プローブ径：3.0nm	超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp
	電子分光走査透過電子顕微鏡 JEM2100M	TEM点分解能：0.23nm STEM機能有 プローブ径：1.0nm 加速電圧：200kV EELS, 波長分散X線分光器 カソードルミネッセンス(CL) 100K-1000Kの温度範囲で計測可	超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp
	高速加工観察分析装置 MI-4000L (FIB-SEM)	加速電圧：30kV (FIB, SEM) マイクロサンプリング機能 FE-SEM、EDS およびEDSD機能	超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp
	集束イオンビーム加工機 FB-2100(FIB)	加速電圧： 40kV マイクロサンプリング CAD機能	超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp
	アルゴンイオン研磨装置 PIPSⅡ	イオン銃：低エネルギー集束電極 ペニングイオン銃 2式 イオンエネルギー：100eV～8keV 試料サイズ：3mm 試料回転：1～6rpmまで可変 XY切り替え範囲：±0.5mm 試料観察：双眼顕微鏡、 デジタルズームマイクロスコープ 冷却ステージ：液体窒素 (保持時間6～7時間) 試料冷却：-120℃まで冷却可能	超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp
	その他 試料作製装置群	切断、機械研磨、化学研磨、 FIB用サンプル加工等、無機材料系 試料作製のための各種装置群	超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp
	電界放射型分析走査電子 顕微鏡 日本電子 JSM-6330F	線源：冷陰極電界放射型電子銃 加速電圧：0.5～30kV 倍率：10～500,000	共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	エネルギー分散型X線分析 装置付走査型電子顕微鏡 日立ハイテクノロジーズ S3000N	SEMEDXⅢTypeN1 SEI像分解能：3.0nm@ 25kV COMPO像分解能：4.0nm 加速電圧：0.3～30kV	共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	透過電子顕微鏡システム 日本電子 JEM-2010F	加速電圧200kV 点分解能0.19nm STEM機能	共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	走査型電子顕微鏡 日本電子社製 JSM-6301F	線源：冷陰極電界放射型電子銃 加速電圧：0.5～30kV 倍率：10～500,000 エネルギー分散型分光器による 組成分析可能	超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp

分析・計測装置

写真	設備（設備群）名	仕様	連絡先
	薄膜X線回折装置 RIGAKU社製 ATX-G	Cu Kα線 18kW　多層膜ミラー， Geモノクロメーター付き 測定モード：θ－2θスキャン，ロッキングカーブ，逆格子面マッピング， 膜面内φスキャン，φ－2θχスキャンなど	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	X線回折装置 試料水平型、 加熱ステージ RIGAKU RINT2500TTR	Cu Kα線 18kW， 試料水平型 測定モード： θ －2θ，θs/θd連動スキャン， θs，θd単独スキャンなど	共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	原子間力顕微鏡 Bruker社製 AXS Dimension3100	スキャン領域：XY方向 約90μm， Z方向 約6μm 試料サイズ：最大150 mmφ－12mmt 測定モード：AFM，MFM，EFM，LFM，表面電位顕微鏡，電流像， リソグラフィー	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	磁気特性評価システム群	(1)交番磁界勾配型磁力計：  感度 10^-8emu，20kOe (2)振動試料型磁力計：  感度 10^-5emu，15kOe (3)トルク磁力計：  2×10^-3erg，15kOe (4)磁気光学スペクトロメータ：  2×10^-3deg，16kOe	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	X線光電子分光装置 VG社製 ESCALAB250	Mg/Alツインアノード AlモノクロX線源 Arスパッタ銃 角度分解測定用マニュピレータ 最大試料サイズ：20mmφ	微細加工 プラットフォーム事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp
	X線光電子分光装置 島津製作所 ESCA-3300型	φ100μｍの微小部分分析可能 Ｘ線銃：Mg／Alツインアノード 出力最大450Ｗ（15ｋＶ－30ｍＡ） エッチングイオン銃	共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	イメージングXPSマイクロ プローブ サーモフィッシャー ESCALAB 250Xi	UPS, XPS両光電子分光計測が可能 XPS計測時：Mg, Al ツインアノード 利用可 最高エネルギー分解能： 0.5eV程度＠Alkα 最高空間分解能：20μm	共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	誘導結合プラズマ発光分光 分析装置 セイコーインスツルメンツ SPS7800	シーケンシャル型 波長範囲 175～800nm 最大出力 1.2kW オートサンプラーなし	共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	CHNコーダー ヤナコ分析工業	自己積分法式 (デュアルピストンポンプ使用) 絶対誤差　±0.3％以内 オートサンプラーあり	共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	１成分レーザドップラー 流速計測装置 TSI 1D-PDPA/FSA3500P		共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp

未来エレクトロニクス集積研究センター装置

写真	設備（設備群）名	仕様	連絡先
	イオン注入装置 ULVAC IMX-3500	試料サイズ： 不定形～8インチウエハー エネルギ：30～200keV 最大ビーム電流： 11B+ 400μA（200keV) 31P+ 600μA（200keV) 最小ビーム電流：150nA イオン種： B、P、As、Si、Ge、Sb、In 他	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	高温スパッタ成膜装置 ULVAC QAM4	試料サイズ： 不定形～2インチウエハー 膜方式：デポアップ スパッタ膜：AlN、BN 使用ガス：Ar, N2	本田善央准教授
	集束イオンビーム装置 HITACHI NX2000	FIBカラム： 分解能 4nm @ 30kV、60nm @ 2kV 速電圧 0.5 ～ 30kV ビーム電流 0.05pA ～ 100nA FE-SEMカラム： 分解能 2.8nm @ 5kV、3.5nm @ 1kV 加速電圧 0.5 ～ 30kV 電子銃 冷陰極電界放出型 検出器： 標準検出器 In-lens SE検出器/ チャンバーSE検出器/反射電子検出器 ステージ： X：0 ～ 205mm Y：0 ～ 205mm Z：0 ～ 10mm R：0 ～ 360°エンドレス T：-5 ～ 60°	本田善央准教授
	走査型電子顕微鏡 （in-lensタイプ） HITACHI SU9000	二次電子分解能 1.0nm（加速電圧15kV） 1.6nm（加速電圧1kV）(オプション) 倍率 ×25～×800,000 プローブ電流 1pA～100nA 最大搭載可能試料サイズ 150mm径（標準） 搭載可能付属装置 EDX、EBSD	本田善央准教授
	大面積 カソードルミネッセンス HORIBA WD201N	SEM：熱陰極型SEM 高速撮影CL：１mm角に対して 1min以内	本田善央准教授
	仕事関数測定装置 RIKEN KENKI AC-3	光子エネルギー範囲：4.0～7.0eV	本田善央准教授
	エミッション顕微鏡 HAMAMATSU PHOTONICS PHEMOS-1000	EMISSION mode： Si CCDカメラ OBIRCH mode： 405nmレーザ	本田善央准教授
	i線ステッパ Nikon NSR-2205i12D	試料サイズ：15mm2、 2インチウエハーの1/4形状（扇形）、 2インチウエハー 露光光源：i線(波長365 nm) 解像度：350 nm N.A.：0.5～0.63 縮小倍率：5分の1倍 露光範囲：22 mm2(ウエハー上) レチクル：6インチ石英ガラス 総合アライメント精度：55 nm以下	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	ナノインプリント サイヴァクス X500	試料サイズ： 不定形～8インチウエハー 被転写材料：UV硬化樹脂、 熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂 転写方式：一括転写 UV機能：波長365nm/385nm、 照射面積200mmΦ	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	レーザー顕微鏡 オリンパス OLS-4100	光源：405nm半導体レーザー 倍率：最大17280倍 高さ測定範囲：10mm 表示分解能：0.001μm 光学ズーム：1x～8x 測定：レーザー光波長405nm、 最大出力1mW 6穴明視野電動レボルバ XYステージ： 100mm×100mm 電動ステージ	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	RCA洗浄装置 ダルトン 18-MR12	試料サイズ：15mm2、 2インチウエハーの1/4形状（扇形）、 2インチウエハー、4インチウエハー 薬液槽：キャロス、SC1、SC2、 塩酸、HF、BHF、TMAH 水洗層：QDR機能付き 乾燥：2インチ、4インチウエハーは 装置内蔵スピンドライヤー、 その他は窒素ガスブロー乾燥	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	有機洗浄装置 ダルトン 18-MU11	試料サイズ：15mm2、 2インチウエハーの1/4形状（扇形）、 2インチウエハー、4インチウエハー 洗浄槽：レジスト剥離液、NMP、IPA 水洗層：QDR機能付き 乾燥：2インチ、4インチウエハーは 装置内蔵スピンドライヤー、 その他は窒素ガスブロー乾燥	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	接触式表面形状システム Bruker Dektak XT-A	試料サイズ： 不定形～6インチウエハー (厚さ50mmまで) 垂直表示レンジ：6.5nm～1mm 垂直分解能：0.1nm 測定距離：50um～55mm	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	ICPドライエッチャ4 ULVAC CE-S	試料サイズ：不定形～6インチウエハー 被エッチング材：GaN、メタル 使用ガス：Cl2、BCl3、O2、Ar、N2、He（冷却用） アンテナ高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大1000W バイアス高周波電源： 12.5MHz水晶発振、最大100W 基板温度：-15～35℃	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	ALD(プラズマ式/サーマル式) Ultratech/Cambridge NanoTech Fiji G2	試料サイズ：不定形～4インチウエハー プロセスチャンバー： 4プラズマガスライン、 6プリカーサーライン プロセスモード： Continuous ModeT(連続成膜モード) Exposure Mode(暴露時間制御モード) Plasma Mode(プラズマ成膜モード) 電源：300W RF 電源及び、チューナー付きICP リモートパルスプラズマラジカルジェネレータ プリカーサーライン： 6ライン（H2O ラインを含む） プリカーサーヒーター： ヒーター温度200℃まで制御可能 使用ガス：N2、O2、Ar	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	LP-CVD samco LPD-1200	試料サイズ：2インチウエハー デポ膜：Poly-Si 形式：横型開閉式環状炉 温度制御：３ゾーンPID制御、Max1000℃、均熱長200mm 使用ガス： SiH4、Si2H6、4%PH3-Ar、BCl3、N2	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	ICPドライエッチャ1 samco RIE-200iP	試料サイズ：不定形～8インチウエハー (8インチトレー搬送式装置： 小径ウエハーは複数枚同時処理可能) 被エッチング材：SiO2、SiN 使用ガス： CF4、CHF3、O2、Ar、He(冷却用) IPC高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大1000W Bias高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大300W	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	ICPドライエッチャ2 samco RIE-200iP	試料サイズ：不定形～8インチウエハー (8インチトレー搬送式装置： 小径ウエハーは複数枚同時処理可能) 被エッチング材：GaN、Poly-Si 使用ガス：Cl2、BCl3、O2、Ar、N2 IPC高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大1000W Bias高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大300W	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	P-CVD1 samco PD-220NL	試料サイズ：不定形～8インチウエハー (8インチトレー搬送式装置： 小径ウエハーは複数枚同時処理可能) 成膜種：SiO2、SiN、TEOS-SiO2 使用ガス： TEOS、O2、N2O、C2F6、SiH4、NH3、H2 高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大300W 下部電極加熱：最大450℃	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	ICPドライエッチャ3 ULVAC NE-550EX	試料サイズ：不定形～8インチウエハー (200mmΦトレー搬送式装置： 小径ウエハーは複数枚同時処理可能) 被エッチング材：GaN 使用ガス：Cl2, BCl3, O2, Ar, He（冷却用）, SiCl4, SF6 アンテナ高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大1000W バイアス高周波電源： 12.5MHz水晶発振、最大100W 基板温度：20～170℃ 防着版： 加熱方式防着版（常温～200℃）	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	EB蒸着装置 ULVAC ei-5	試料サイズ：不定形～4インチウエハー 基板保持：基板落し込み方式 (2インチウエハーはアダプターを使用) EB電源：出力10kW、シングル 蒸着金属：Al、Ti、Ni,Au、Pt等 ハース容量：40ml×６ 二次電子吸収機構：有 蒸着源から試料までの距離：680mm 基板加熱： 赤外線ランプ加熱(最高温度350℃)	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	スパッタ装置 ULVAC CS-L	試料サイズ：不定形～8インチウエハー 膜方式：デポアップ スパッタ金属：Ti、Al、Ni 使用ガス：Ar, N2	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	光干渉膜厚計 (自動マッピング式) FILMETRICS F50	試料サイズ：不定形～12インチウエハー 光源：ハロゲン スポットサイズ：1.5mm 測定波長範囲：380～1050nm 膜厚測定範囲：20nm～70um	C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass. nagoya-u.ac.jp
	ダイボンダ West bond 7200CR	ディスペンス方法 エアーによるディスペンス ピックアップ方法 バキュームによるピックアップ	本田善央准教授
	スクライバー TECDIA TEC-2004TMR	半自動スクライバー 4inchまで対応	本田善央准教授
	卓上研磨機 Nanofactor Fact-200	ラップ定盤 直径Φ 200～230mm ラップ定盤回転数 10rpm～200rpm	本田善央准教授
	ワイヤボンダ West bond 7476D	ボンディング方式 US・TC又はサーモソニック方式 荷重：18ｇ～90ｇ（調整可能） 対応ワイヤー： 13μmΦ～50μmΦまでの金線・アルミ線 波数：63KHz 超音波出力： High Power 設定時：最大4W Low Power 設定時：最大2W High Power, 超音波印加時間： 0～999ms　1ms単位で設定可能	本田善央准教授

（注）募集研究テーマを実施するに当たっては、本研究所の設備（主な設備名は上記のとおり）を利用することができます。
なお、利用を希望する場合は、本研究所の担当教員と十分な打合せをしてください。
メール送信の際は@前後の*を除いてください。