エネルギー変換エレクトロニクス実験施設
エネルギー変換エレクトロニクス実験施設は、名古屋大学未来材料・システム研究所のクリーンルーム実験棟です。本施設は、GaN研究における結晶成長・デバイスプロセス・評価を同一スペースで行える約1,000㎡(クラス1,000:露光エリア、クラス10,000:プロセスエリア)の大空間クリーンルームを有し、研究開発の加速を図ります。
紹介ビデオ
紹介動画(2分37秒)
特徴
(1) GaNに特化したサブミクロン加工プロセスライン
- 結晶成長から電極形成までアンダーワンルーフでGaNパワーデバイスをスループロセス
- i 線ステッパをはじめとした、サブミクロンに対応した充実した加工設備
- 専任の技術員による運営管理、プロセス受託
- 多様な料金設定による設備共用システム
(2)ターゲットデバイス
- GaN on GaN 縦型パワーデバイス
- GaN 系光デバイス
- AlGaN/GaN 横型HEMT デバイス
- 窒化物半導体 未来デバイス
メンバーを表示する
メンバーを非表示にする
メンバー