産学協同研究部門
窒化物半導体を中心に、材料から応用に至る幅広い研究を行ないます。
『事業化へ向けた』「橋渡し」研究として、大学等における基礎研究の成果を、効果的・効率的に応用に
結びつけることを目的としています。
『事業化へ向けた』「橋渡し」研究として、大学等における基礎研究の成果を、効果的・効率的に応用に
結びつけることを目的としています。
AlGaN/GaN HEMT
スイッチング特性
エバネッセント光の結合効果を利用した
指向性LEDの模式図
発光パターン
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本共同研究ラボは当部門およびNIMSそれぞれに設置され、天野浩教授および小出康夫NIMSセンター長／前
理事が相互にクロスアポイントメントすることにより共同ラボ長を務め、 GaNパワーデバイスの開発に向けた結晶・エピ結晶・要素デバイスの結晶学的・電気的・光学的な評価・計測や評価・計測手法の研究開発を推進します。 NIMSが保有する物性評価・分析技術を有効活用し効果的に研究を推進します。
理事が相互にクロスアポイントメントすることにより共同ラボ長を務め、 GaNパワーデバイスの開発に向けた結晶・エピ結晶・要素デバイスの結晶学的・電気的・光学的な評価・計測や評価・計測手法の研究開発を推進します。 NIMSが保有する物性評価・分析技術を有効活用し効果的に研究を推進します。
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窒化ガリウムパワー半導体デバイスの実現に向けて、この部門は以下の新しい技術を研究開発しています。
1.高精度で欠陥、不純物および損傷の制御性を可能にする加工技術
2.低損失・高スイッチングデバイスのためのデバイス設計技術
3.高性能の新しい窒化ガリウムパワーデバイスを使用したシステムアプリケーション
1.高精度で欠陥、不純物および損傷の制御性を可能にする加工技術
2.低損失・高スイッチングデバイスのためのデバイス設計技術
3.高性能の新しい窒化ガリウムパワーデバイスを使用したシステムアプリケーション
縦型GaN-MOSFETの構造設計
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デンソー自動車用パワーエレクトロニクス産学協同研究部門では、将来のハイブリッド自動車、電気自動車、燃料電池自動車の電動化システムの大電力化・高周波化・高効率化を見据え、次世代パワー半導体の材料研究、デバイス研究、および応用システムの探索研究を推進します。
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豊田合成は、1986年に赤﨑(現)特別教授、天野(現)特別教授、豊田中央研究所との共同研究の機会に恵まれ、GaN材料に関わる基礎研究をスタートしました。
その研究成果をもとにLED事業を立ち上げ、LEDの普及に
邁進してまいりました。研究から事業化および拡大・継続を経験する中で培ったコアコンピタンスを活用し、新たな事業の創出を目指します。
邁進してまいりました。研究から事業化および拡大・継続を経験する中で培ったコアコンピタンスを活用し、新たな事業の創出を目指します。
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旭化成次世代デバイス産学協同研究部門では、単結晶窒化アルミニム基板の特徴を生かした新規デバイスの探索研究および応用技術の開発を推進し、新規事業の創出を目指します。
2インチ単結晶AlN基板
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窒化ガリウムを用いたパワーデバイスの実用化を目指し、下記の観点から研究を進めます。
- ①不純物や点欠陥を高精度に制御するエピタキシャル成長技術
- ②ゲート絶縁膜・MOS界面技術
- ③低ダメージ加工、イオン注入などプロセス技術
- ④超低損失化を実現するデバイス設計技術"
図１：縦型トレンチGaNデバイス
図２：N型低濃度エピのホール移動度
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三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門では、窒化ガリウム(GaN)の優れた物性を活用した
新規デバイス構造の土台となる高品位GaN基板について、以下の内容で研究開発に取り組みます。
新規デバイス構造の土台となる高品位GaN基板について、以下の内容で研究開発に取り組みます。
- ・基板品質(結晶欠陥、不純物等)とデバイス特性との相関調査及びメカニズム究明
- ・新規デバイス用GaN基板に求められる品質及び特性の明確化
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ローム複合系シミュレーション産学協同研究部門では、システムに最適なデバイス設計・開発を試作レスで達成するための統合シミュレーション技術の実現を目指します。
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カーボンナノチューブに代表されるナノカーボンのユニークな特性を活かしたデバイスの実用化を目指し、特性の引き出しに必要な基盤技術および要素技術の構築に取り組みます。
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