産学協同研究部門｜名古屋大学未来材料・システム研究所

産総研・名大窒化物半導体先進デバイス
オープンイノベーションラボラトリ

窒化物半導体を中心に、材料から応用に至る幅広い研究を行ないます。
『事業化へ向けた』「橋渡し」研究として、大学等における基礎研究の成果を、効果的・効率的に応用に
結びつけることを目的としています。

AlGaN/GaN HEMT

スイッチング特性

エバネッセント光の結合効果を利用した
指向性LEDの模式図

発光パターン

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メンバー

特任教授

清水三聡

研究テーマ

GaNパワーエレクトロニクス

特任教授

王学論

研究テーマ

光デバイス

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NIMS・名大 GaN評価基盤研究ラボラトリ
－天野・小出共同研究ラボ－

本共同研究ラボは当部門およびNIMSそれぞれに設置され、天野浩教授および小出康夫NIMSセンター長／前
理事が相互にクロスアポイントメントすることにより共同ラボ長を務め、 GaNパワーデバイスの開発に向けた結晶・エピ結晶・要素デバイスの結晶学的・電気的・光学的な評価・計測や評価・計測手法の研究開発を推進します。 NIMSが保有する物性評価・分析技術を有効活用し効果的に研究を推進します。

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メンバー

教授

天野浩

（兼務）

特任教授

小出康夫 Lab

研究テーマ

窒化ガリウム結晶・ウェハおよび要素デバイスの原子レベル評価およびマッピング評価計測

特任准教授

田中敦之

研究テーマ

GaNを用いた次世代パワーデバイスの創始

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トヨタ先端パワーエレクトロニクス産学協同研究部門

窒化ガリウムパワー半導体デバイスの実現に向けて、この部門は以下の新しい技術を研究開発しています。
1.高精度で欠陥、不純物および損傷の制御性を可能にする加工技術
2.低損失・高スイッチングデバイスのためのデバイス設計技術
3.高性能の新しい窒化ガリウムパワーデバイスを使用したシステムアプリケーション

縦型GaN-MOSFETの構造設計

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メンバー

特任教授

上杉勉

研究テーマ

窒化ガリウムパワーデバイスの作製プロセスおよびデバイス構造の研究

特任講師

近藤健

研究テーマ

窒化ガリウムパワーデバイスの作製プロセスおよびデバイス構造の研究

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デンソー自動車用パワーエレクトロニクス産学協同研究部門

デンソー自動車用パワーエレクトロニクス産学協同研究部門では、将来のハイブリッド自動車、電気自動車、燃料電池自動車の電動化システムの大電力化・高周波化・高効率化を見据え、次世代パワー半導体の材料研究、デバイス研究、および応用システムの探索研究を推進します。

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メンバー

特任教授

恩田正一

研究テーマ

次世代パワー半導体材料の結晶成長および高品位化技術

特任准教授

小島淳

研究テーマ

次世代パワー半導体材料の高品位化技術と低コスト化技術の研究

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豊田合成GaN先端デバイス応用産学協同研究部門

豊田合成は、1986年に赤﨑(現)特別教授、天野(現)特別教授、豊田中央研究所との共同研究の機会に恵まれ、GaN材料に関わる基礎研究をスタートしました。その研究成果をもとにLED事業を立ち上げ、LEDの普及に
邁進してまいりました。研究から事業化および拡大・継続を経験する中で培ったコアコンピタンスを活用し、新たな事業の創出を目指します。