炭素2次元材料であるグラフェンは、究極的高キャリア移動度を持つことから次世代半導体材料として期待されている。SiC上エピタキシャルグラフェンは、絶縁性基板上全面に単結晶単層グラフェンを形成できることから、エレクトロニクス応用に最も適したグラフェン合成手法である。本シンポジウムでは、パイオニアである米ジョージア工科大学Walter de Heer教授をはじめ、欧米からこの分野の歴史を特徴付ける招待講演者を招き、国内外における「エピグラフェンの最新の研究と未来」について議論する。